基片的SOl氧注入分离法
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:427
氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单，但是对于器件级的sol来说，其工艺冗余度却比较低。
我们通过注入剂量，即每平方厘米注入到基片中的离子数来描述注入的总离子数。一般在simox中需要总的注入剂量通常为>1018cm-2，而通常cmos工艺中的注入剂量为1016cm-2，较simox要小2个数量级。
氧离子以200 key的能量注入到硅中，这个能量决定了氧化层的深度和表层硅的厚度。在低剂量注入的情况下，二氧化硅一般为高斯分布，而在高剂量注入并退火后，二氧化硅分布较均匀，可以认为它与上下两硅层之间是突变的。
由于离子注入会在顶层硅引入缺陷，而这些缺陷如果控制不好的话会对传输的光造成较大的吸收；好在通过优化工艺参数，这些缺陷己被减小到102～103cm-2。
欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单，但是对于器件级的sol来说，其工艺冗余度却比较低。
我们通过注入剂量，即每平方厘米注入到基片中的离子数来描述注入的总离子数。一般在simox中需要总的注入剂量通常为>1018cm-2，而通常cmos工艺中的注入剂量为1016cm-2，较simox要小2个数量级。
氧离子以200 key的能量注入到硅中，这个能量决定了氧化层的深度和表层硅的厚度。在低剂量注入的情况下，二氧化硅一般为高斯分布，而在高剂量注入并退火后，二氧化硅分布较均匀，可以认为它与上下两硅层之间是突变的。
由于离子注入会在顶层硅引入缺陷，而这些缺陷如果控制不好的话会对传输的光造成较大的吸收；好在通过优化工艺参数，这些缺陷己被减小到102～103cm-2。
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