- GaN基紫外光电探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- gaas基可见光电探测器及ingaas/lngaasp基长波长光电探测器不同，gan基紫外光电探测器的光响应波长是200～360 nm的紫外波段。紫外探测技术可用于宇宙飞船、紫外天文学、...[全文]
- 采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- khan等人[25]在1992年报道了第一支高质量gan材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（mocvd）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处...[全文]
- GaN基肖特基结构紫外光电探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- gan光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，gan基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度...[全文]
- GaN PIN光电探测器结构2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 为了提高工作速度和响应度，往往采用pin结构。pin结构gan紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）...[全文]
- 光电探测器响应度随波长变化曲线2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在功率为15 w疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0v、-1v、-2v、-3v、-4v、-5v偏压下的响应度...[全文]
- 基于硅基双极型工艺的光电探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用iii-v族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40 gb/s，然而，ill-v族材料的光接收器和oeic价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局...[全文]
- 双极工艺光电二极管2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 图1中给出了一种基于标准双极工艺的n+-p型光电二极管[36]，其中的n+区是由n+埋层以及插入的n+集电极注入形成，p区则是直接利用轻掺杂的p型衬底。图中n＋区与p＋区的间距为5 gm，n...[全文]
- 集电极形成的PIN光电二极管2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在不对工艺做任何修改的情况下，n＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，n型外延集电区可用做pin光电二极管中的i层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能...[全文]
- 光电晶体管2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 基区－集电区pn结面积被扩大了的npn晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 图1 一种纂于sbc工艺的光电晶体管 简单地说，双极工艺制作的光电晶体管利用基...[全文]
- 紫外（UV）光探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 k温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的...[全文]
- 集成光电探测器彩色传感器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 p+-n型光电二极管采用在电阻率p＝6ω·cm的n型外延层上注入硼...[全文]
- LED发射器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 对led和ld的特性进行比较可以知道：对于ld来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制速率等优 点，它适应于长距离，高速大容量的光通信系统。而对led来说，由于它的发射角较大，与光...[全文]
- 基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- cm0s工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的cmos工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（n阱或者p阱）。若为p型衬底则将nmos直接制作在衬底上...[全文]
- 典型的LD光发射机2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 典型的ld光发射机框图如图1所示。主要包括如下。 （1）激光二极管：ld器件设计和制作，在第2章己经有详细介绍，这里不再赘述。 （2）波行整形：由线路编码送给发射电路的时钟，首先...[全文]
- LD发射机实例2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 图1所示为国内东南大学设计的一种ld发射机原理图。其发光部分ld采用vcsel激光器，实现了单片集成。下面 主要介绍一下该机驱动电路部分的模块设计。芯片指标如表1所示。 图1 一种ld发射...[全文]
- 双光电二极管（DPD）2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- n+-p衬底结构中的p型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩...[全文]
- 光电P型叉指结构二极管2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- cmos光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深度较深（约10 gm），同时cmos工艺中源漏注入形成的pn结结深较浅（＜1 gm），因此...[全文]
- 二维器件模拟光电探测器的结构2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 图1给出了在器件模拟软件atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，n阱与p＋区构成一个二极管，称为工作二极管d。；n阱与衬底构成...[全文]
- 工艺参数下光电探测器的器件模拟2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 图1 tsmc 0.35pm cmos工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1wzcm2、25...[全文]
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