- LED数码管的检修2008/12/5 0:00:00 2008/12/5 0:00:00
- （1）led数码管不亮 产生此故障的原因可能有： 1）变压器损坏、引线断开或虚焊。若变压器损坏，则予以更换或重新绕制；若引线断开或虚焊，则应重新连接或重新焊接。 2） ＋5v电源...[全文]
- 光电探测器理论基础2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的一类光电子器件。为了探测入射光，人们需要先将光信号转化为与入射光强度成比例的电信号以方便测量。例如，在光纤通信系统中，人们将需要传输的语音图像等数据...[全文]
- 半导体中的光吸收2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半导体中的光吸收主要包括本征吸收、激子吸收、晶格振动吸收、杂质吸收及自由载流子吸收［1］。当入射光能量大于半导体材料禁带宽度时，价带中电子便会被入射光激发，越过禁带跃迁至导带而在价带中留下空...[全文]
- 光生载流子产生率2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 考虑到入射光在表面的反射率为r，则半导体表面（y=0）处光强p0，为 式中， popt为入射光强度，这时半导体中的光吸收由式（3－6）改写成： 入射光能量hv>eg...[全文]
- 光生载流子的扩散2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在远离本征区所产生的光生载流子由于没有外电场作用，要通过扩散才能到达外电极，而扩散时间通常比漂移时间长得多，因此严重限制了光电探测器工作速率，所以有必要详细讨论载流子扩散过程。如图1所...[全文]
- 光电探测器性能的参数2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 表征光电探测器性能参数主要有：量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小，频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢，噪声和探...[全文]
- 数字显示原理2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 数字电路的输出可以用字段形式、点矩阵形式或整字形式进行显示，显示器件主要有发光二极管（led）和液晶显示器（lcd）等。 （1）led的工作原理和驱动电路 led是一种售价比较低的显示...[全文]
- 量子效率和响应度2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo ,它是半导体光电探测器最重要的指标。内量子效率定义为吸收一个入射光子能够产生的电子-空穴对个数，即 由于ηi与材料的吸收系数α，以及...[全文]
- 光电探测器频率响应2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的，调制频率高于光电探测器频率响应的入射光信号将不能被正确探测出。频率响应是光电探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，表征了...[全文]
- 光电噪声和探测度2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 光电探测器的主要噪声源有暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。对理想的光电探测器，在无光照的时候应该没有电流，然而实际上仍然存在有较小的电流。它主要是由耗尽层中载流子的产生－复合电流和耗尽层边界的少...[全文]
- 基于III-V族半导体材料的光电探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子ˉ空穴对，在适当内电场作用下载流子的漂移，欧姆接触收集...[全文]
- 光电探测器基本结构2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 如图1（a）所示为pin光电探测器基本结构，n型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成p型注入区。分别在n型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为...[全文]
- 光电探测器异质结2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 图1（a）是一个典型的异质结pin［13］，p型和n型区域均为inp，本征层in1 ，ga，as生长在n型inp衬底上。当x=0.47时ingaas和inp之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使...[全文]
- 光电PIN探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 尽管这一材料体系的pin通常只含有algasb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用lpe方法在350～500＇c温度下生长在gasb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂p型，较高的温度用来生...[全文]
- 光电探测器结构示意图2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 四元化合物in1-x，gaxas1-ypy可以通过在inp衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如in0.53ga。47as与in...[全文]
- 光电APD探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 虽然pin结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率，但是它无法将光生载流子放大，因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光，我们希望光电探测器具有内部增益，即少量的光...[全文]
- 光电探测器多量子阱MQW结构APD2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟，所以51材料被广泛应用于apd结构中，而gaas则较少使用。图1 ...[全文]
- 雪崩光电探测器结构和能带2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用inp基材料。在inp衬底上生长ingaasp，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长...[全文]
- 光电SAM-APD探测器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使apd噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧穿电流变得相当可观，严重影响了apd的噪声特性。为了减小这种隧穿电流，人们设计了一种将吸收区和倍增...[全文]
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