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光小目位调制器位移电流方程2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　对于时域模拟，位移电流需要进行计算和保存。位移电流的表达式为 　　进行求解之前，需要对拟解决的问题进行定义。这一过程一般包含以下步骤： 　　①定义待模拟器件的物理结构参数，并对其结构进行...[全文]
顶注入对称相位调制器结构2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　为了在半导体中实现载流子注入，我们需要在器仵中建立电流通路。最简单的办法就是·利用pn结。因为pn结在p区和n区需要较高的掺杂浓度，所以如果将其设置在光功率聚集的地方就会对光场造成较大的损耗...[全文]
SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　1．量子阱结构设计 　　多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 gaas/ga1-xalxas材料系的多量子阱，组分x取为0.3左右。阱...[全文]
常通型器件量子阱结构设计2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对，为了减 小工作电压，对应较少的量子阱数目，在器件顶部增加dbr可增大器件顶部反射率，2对λ/...[全文]
常关型量子阱结构设计2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　一般常关型seed器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射谱。要 获得高的对比度必须使低态反射率基本为零，这样就要利用asfp腔的调制作用。非对称f－...[全文]
光反射谱测量2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　我们采用了mbe技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘gaas。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层n＋gaas作为n型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的alas／algaasdbr，在db...[全文]
SEED列阵设计与制备2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　1． 1×20 seed列阵 　　seed智能像素集光探测器、光调制器和逻辑功能电路于一体，seed器件是智能像素的核心。我们设计了适用于 倒装焊结构的1×20 seed列阵，seed器件...[全文]
SEED器件微区光反射谱测量2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　反射型seed光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用。器件 工作时，光垂直于器件表面从p区入射，经过多量子阱i区时，一部分光被i区吸收，透射过i区的...[全文]
SEED器件耐压特性测量2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　对列阵器件的耐压特性做了测量，表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的，多量子阱i区本底浓度偏高，会使pln结构中最大电场强度增大；材料生长的不够均匀（i区掺杂浓度不均匀）会使部...[全文]
结构调制器截面2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　我们有下列几点需要考虑： 　　①脊宽和脊高的确定； 　　②n+和p+区深度的确定； 　　③n+区偏离内脊侧壁距离的确定。 　　我们现在要做的就是如何优化各参数以使得器件性能最优。具体...[全文]
光小目位脊形光波导基模调制器2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　在正向注入的情况下（即p+区相对于n+区接正偏压），电子和空穴将注入到本征区，形成电流。因为这就是一个p-l-n二极管结构，其导通电压约为0.7 v，所以正偏电压至少应大于0.7 v。在...[全文]
脊宽和脊高对载流子密度的影响2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件，这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我们在图1中假设了3.2pm，这个深度对光场...[全文]
N+和P+区的深度对载流子密度的影响2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　n+和p+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来，但是如果p+区延伸较深的话就会深入到光场区，从而使光传输损耗加大。所以我们只考虑n+区变化的情况。考虑n+区深度分别为0.5um和1.2um...[全文]
偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　我们假定几个偏移距离，分别为0.25μm、1μm和4μm，并给出模拟结果，如图1所示。 　　图1 n+区偏离内脊侧壁的距离对载流子密度的影响 　　由图1我们可以看出，当偏移量为0.2...[全文]
数码显示器与电平显示器2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　为了便于操作人员了解自动化系统的运行工况，必要的显示设备是必不可少的。显示设备包括模拟显示仪表中的指示指针、数字设备中的数码显示器、计算机控制系统中的crt显示终端以及大屏幕显示器等。电平显...[全文]
LED数码显示器的工作原理2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　led数码显示器由发光二极管（led）构成“日”字型或“田”字型，发光二极管由磷砷化镓或碳化硅等材料制成，当给发光二极管的pn结两端施加正向电压时，电流加大，由于电子和空穴复合时释放出的热量...[全文]
镀膜控制模式波长2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　我们所用的膜层材料为sino系材料，图1为镀sin膜所得的实验结果。曲线1为镀膜前外延片的反射谱，曲线2和3 分别对应膜厚为95 nm和135 nm的情形，膜厚度用椭偏仪测出。从曲线1可知，...[全文]
腐蚀控制模式波长2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　镀膜的方法虽然也可以移动模式波长，但由于顶部反射率的降低，asfp腔的谐振吸收作用减弱了，难以制作高对 比度的器件。高对比度的器件一般都是常通型。常通型器件要求模式波长在c－hh峰的长波方向...[全文]
混合光电子集成技术2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　混合集成的光电子集成回路中光子器件和电子器件根据各自器件的材料结构和制作工艺的不同分别制作在不同的芯片上，通过焊接、封装等技术固化组合在一起。混合集成的光电子集成回路具有器件优化程度高，产品...[全文]
单片光电子集成技术2008/12/5 0:00:00
2008/12/5 0:00:00
　　单片集成就是在将集成电路和光电子器件制作在同一材料上，将微电子与光电子技术的优势相互结合，以期达到最佳性能。单片集成的光电子集成回路具有结构紧凑、器件一体化、集成度较高等特点 ，但由于光子器...[全文]
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