直光波导中的辐射损耗
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:408
直光波导中的辐射损耗可以忽略，弯曲光波导和光波导制作过程中引入的光波导结构畸变是辐射损耗的主要来源。弯曲损耗随曲率半径的减小而增大，尤其是小截面光波导，此时光的限制因子较小，更容易引起弯曲损耗。对于sol脊形光波导来说，掩埋的氧化层可能就会引起辐射损耗。对于光波导中不同的模式，光场穿透下包层的深度也不同，所以对氧化层厚度的要求也不同，在波长为1.3～1.6pm之间时，一般要求氧化层不小于0.4pm，以避免过度损耗。然而当光波导尺寸减小时，模式也会按比例地泄漏到包层中去，所以就应选一个比较厚的氧化层。
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直光波导中的辐射损耗可以忽略，弯曲光波导和光波导制作过程中引入的光波导结构畸变是辐射损耗的主要来源。弯曲损耗随曲率半径的减小而增大，尤其是小截面光波导，此时光的限制因子较小，更容易引起弯曲损耗。对于sol脊形光波导来说，掩埋的氧化层可能就会引起辐射损耗。对于光波导中不同的模式，光场穿透下包层的深度也不同，所以对氧化层厚度的要求也不同，在波长为1.3～1.6pm之间时，一般要求氧化层不小于0.4pm，以避免过度损耗。然而当光波导尺寸减小时，模式也会按比例地泄漏到包层中去，所以就应选一个比较厚的氧化层。
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