双极刭晶体管是■个区、两结器件，将在第16章中介绍。从电性能方面看，RHRP15120它们町以看成是两个二极管以背靠背的形式相连接。为了得知双极型晶体管的特性，人们已经做了许多测试。分别对单结特性进行测试和整个晶体管工作进行测量。探测结的正偏和反偏特性。随着对整个晶体管的探测，对击穿电压(BV)进行测试。

   荦独结点的测试都标有字母BV，其右下角的小写字母表明是哪一具体结点。例如：BVm，表示集电极和基极击穿电压。字母o表示发射极开路，即没有施压电压。BV．‰表示集电极和发射极之间的击穿电压，两个二极管结构的结的正向导通电压也要被测量。是基极发射极的正向导通电压。V．。是基极一集电极的正向导通电压。探测的是为漏电流而隔离集电极的结。

   双极型晶体管的一个主要的电性能测量是口值（增益）的测量（见图14. 38）。这是对晶体管放大性能的测量。在双极型晶体管中，从发射极到集电极流过的电流，通过基极（见第16章）。改变基极电流以改变基区电阻。集电极流出（从发射极到基极）的电流量由基极电阻来调整。

    图14. 38    NPN晶体管的口测量

   晶体管的放大定义为：集电极电流除以基极电流，即为届。因此p等于10意味着1 mA的基极电流将产生10 mA的集电极电流。晶体管的口由结的深度、结的分离情况（基极宽度）、掺杂等级、浓度分布和其他许多工艺和设汁参数来决定。通过变化BV。。的测量进行届值测量。在一特定的基极电流下测量BV．。，的值。在这种模式中，发射极一基极结处于正向偏置。

   晶体管的集电极特性可通过示波器屏幕显示出来。几乎水平的直线表示增长的基极电流值（IB，、IB2等），随着基极电流的增长，产生了相对应的集电极电流。通过屏幕上显示的数据来计算口值。

   集电极电流由纵轴（虚线）决定。基极电流等于水平直线（步距）总数与每步（来自示波器）之值的乘积。