平移量与氧化膜层中的可动离子污染物的数量、氧化膜厚度和晶圆掺杂有关。REF102AP电容一电压分析，只能得到其值，并不能区分氧化膜层的污染元素（钠、钾、铁等），也不能决定污染物的来源。这些污染物有可能来自晶圆表面、某一清洗步骤、氧化炉管、蒸发工艺、合金炉管或晶圆已经经历的其他任何工艺。

   在考虑变换工艺流程，例如清洗工艺，是否会对晶圆造成污染时，通常要进行电容一电压分析。为便于分析，通常把需要做电容一电压分析的晶圆分成两组。一组按前面讲的正常步骤来进行；第二组通常在氧化层与铝层之间加上一个新的清洗工艺然后进行测试。将得到的两个平移电压进行比较，可见新的工艺增加了移动离子，会造成晶圆污染。

   可接受的电容一电压漂移通常在0.1—0.5 V之间，取决于做在晶圆上的器件的敏感性。在制造领域电容一电压分析已成为一项标准测试。可在任何变化的工艺设备维护或清洗等可能产生污染之后进行。电容一电压曲线还提供了许多其他的有用信息，例如带电压和表面状态。栅氧化层的厚度也可以通过电容一电压吐线进行测试得到。