减薄后进行背面N型金属电极淀积,材料为AuGcNi/Au,厚度为50nm~1.5um,并进行快速退火,退火温度435℃,时间40秒,通N2保护。BATF003G2K94-00R退火后进行芯片切割,A⒑aInPLED切割分半切和全切,所谓半切就是切割深度稍超过外延层,把管芯结构层分离开即可,衬底还连接在一起,进行管芯分选测量后再进行全切、扩片。全切就是在原半切的基础上继续把每个管芯的衬底材料完全切开,使每个管芯独立分开。切割机原理是通过内置高速马达驱动精密气动主轴带动薄型2″或3″刀片,对半导体硅、'砷化镓片等脆性材料进行沟 槽切断加工的设备,主要厂家有日本DISCo,德国oEG等企业。

   由于工艺质量和均匀性的提高,小功率的芯片只做抽测,不做全部测量和分拣。而高亮度和大功率以及用于显示的芯片一般要全部进行测量和分选。这个过程与GaN LED类似,只是所用的设备不同。A⒑aInP LED由于是上、下电极,背面与探针台接触作为公共负极,因此只需要阳极一个探针分别点接触每个管芯的P电极就可以测试。正装AlGaInP LED制备也有先做减薄工艺,后作电极的,其工艺过程如图⒍3所示,这样做的优点是后面电极工艺较清洁,缺点是后工艺容易导致晶片破碎。