应该指出,pn结电容与一般电容器不同,一般电容器中电荷量与电压成线性关系,电容是一个常数。BAV99W-NXP结电容之所以用微分定义,是因为当外加偏压变化时,其电容的数值也随之变化。pn结上一般加一个固定的直流偏压,交流信号电压d/是叠加在直流偏压之上的。交流信号电压d/与直流偏压相比是一个微小的变量。这里所说的pn结势垒电容就是指这个微小电压变化量d/所引起的pn结空间电荷量的变化,因此又把pn结势垒电容称为微分电容。由于结的势垒区宽度随外加电压的变化不是线性的,所以电荷随电压变化也不呈线性,那么结电容便是一个非线性电容。

   利用C-V法测试半导体材料中的杂质浓度时,需要制备出一个金属一半导体接触的肖特基二极管,将其近似看做一个单边突变结。假设材料中的掺杂杂质全部电离,单位结面积上的总电荷由下式给出:,‰为自建电势;‰卜为外加电压; J为单边结宽度;g为电荷量,州D为掺杂浓度;ε0为真空绝对介电常数;G为材料的相对介电常数,正号表示反向偏置,负号表示正向偏置。