合理的设计LED外延和芯片结构对提高LED发光效率起着重要的作用,AlGaInP LED的结构发展经历了吸收衬底结构、分布布拉格反射镜(DBR)结构、透明衬底结构、BAF04-24093-0500薄膜倒装结构等发展过程,AlGaInP LED的外延和芯片结构还在不断的改进发展,每一次结构的改进,都是为了提高LED的光提取效率。下面介绍正装和倒装AlGaInP LED芯片的制备工艺流程。

   6,日,1 正装A丨Ga丨nP LED心片结构及制备工艺 典型的AlC.aInP吸收衬底LED的外延结构是由上、下限制层和发光的有源区构成,顶 层重掺杂是用来制作欧姆接触的层,其外延片和芯片结构如图6-l所示。有源层采电流扩展层  用多量子阱结构,可以更好的把载流子限上限制层   制在有源区。由于AlGaInP红光LED的

MQW多量了 外延层是生长在与之晶格匹配并且导电下限制层   的n型G献s衬底上的,因此器件具有上缓冲下结构,即器件的正、负电极分别做在器GaAs衬底件的正面和背面。如图⒍1所示就是一个

N电极典型的正装LED芯片剖面示意图。AlGaInP LED的正装芯片制造工艺过程 相对简单,其工艺流程如图⒍2所示。