- 晶圆电测成晶率要素 2016/6/17 21:32:57 2016/6/17 21:32:57
- 晶圆电测是非常复杂的测试,很多因素会对成品率有影响。1.晶圆直径和边缘芯片(Edgedie)半导体工业从引入硅材料起就使用圆形的晶圆。第一片晶圆直径还不到1英寸(in...[全文]
- 晶圆生产成晶率的制约因素2016/6/17 21:15:15 2016/6/17 21:15:15
- 晶圆生产成品率受到多方面的制约。下面列H12D4890出了5个制约成品率的基本因素,任何晶圆生产厂都会对这些基本因素进行严格的控制。这5个基本因素的共同作用决定了一个工厂的综合成品率。...[全文]
- 晶圆表面金属离子的去除曾是一个问题2016/6/17 20:51:18 2016/6/17 20:51:18
- 晶圆表面金属离子的去除曾是一个问题。这些离子存在于化学品中,并且不溶于大多数的清洗和刻蚀液中。H12CA4850通过加入一种整合剂,如乙烯基二胺乙酸,使其与这些离子结合,从而阻止它们再次沉积到晶...[全文]
- Pirallha是一种强效的清洗溶液2016/6/16 21:34:03 2016/6/16 21:34:03
- 一般使用的氧化剂有过氧化氢(比o2)、亚硫酸氨[αH4)2S20:]、硝酸(IINα)和臭氧(α)。过氧化氢和硫酸混合制成一种常见的清洗液,用于各个工艺过程之前,尤其是炉工艺之前晶...[全文]
- 温湿度控制系统2016/6/16 21:08:43 2016/6/16 21:08:43
- 温湿度控制系统。半导体OP249GSZ-REEL7超净间的温湿度控制是个重点,其控制的效果直接影响生产的优良率。温度控制对操作员的舒适性和工艺控制都是很重要的,特别是在利用化学溶剂进行刻蚀和清洗...[全文]
- 镍硅化物(NiSi)2016/6/14 21:09:33 2016/6/14 21:09:33
- 镍硅化物(NiSi)。对于45nm及其以下技术节点的半导体工艺过程,镍硅化物(NiSi)正成为接触应用上的选择材料。EL5412IRZ相对于之前的钛钴硅化物而言,镍硅化物具有一系列独特的优势。...[全文]
- Al/si接触及其改进 2016/6/13 21:57:46 2016/6/13 21:57:46
- Al与⒐之间没有硅化物形成,但可形成合金。Al在si中的溶解度十分低,但在Al中的溶解度却十分高。HCNR201-500E因此,当Al与Si接触时,在退火过程中,就会有相当可观的⒏溶到Al中去。...[全文]
- 低势垒高度的欧姆接触2016/6/13 21:52:58 2016/6/13 21:52:58
- 低势垒高度的欧姆接触。低势垒高度的欧姆接触是一种肖特基接触,如铝与P型硅的接触。HCF4053M013TR当金属功函数大于P型硅功函数而小于N型硅功函数时,金属半导体接触即可形成理想的欧姆接触...[全文]
- 抗反射层2016/6/12 22:09:47 2016/6/12 22:09:47
- 光刻胶的下面是最终要被刻蚀形成图案的底层薄膜。如果这个底层是反光的,A3250JUATL那么光线将从这个膜层反射并有可能损害临近的光刻胶。这个损害会对线宽控制产生不利的影响,因此需要使用抗反射涂...[全文]
- 离子注入技术概述 2016/6/12 21:40:14 2016/6/12 21:40:14
- 在集成电路制造中,多道掺杂工序均采用了离子注入技术,例如调整阈值电压采用沟道掺杂,CMOs工艺阱的形成以及源区、漏区的形成,尤其是浅结,主要靠离子注入技术来完成。A3242LUA-T与扩散法掺杂...[全文]
- 固一固扩散2016/6/12 21:30:14 2016/6/12 21:30:14
- 固一固扩散指的是在硅晶圆片表面用化学气相沉积等方法生长薄膜的过程中同时在膜内掺入一定的杂质,A3242EUA然后以这些杂质为扩散源在高温下向硅片内部扩散。薄膜可以是掺杂的氧化物、多晶硅及氮化物等...[全文]
- 片状固体源扩散2016/6/12 21:29:09 2016/6/12 21:29:09
- 片状固体源扩散的扩散源为片状固体,外形与硅圆片相同,扩散时将其与硅片间隔放置,A3242ELHLT-T并一起放入高温扩散炉中。(1)固态硼扩散。用于圃态硼扩散的杂质源为片状氮化硼,...[全文]
- Si3N4薄膜2016/6/11 17:26:55 2016/6/11 17:26:55
- 氮化硅(siliconhref="http://www.51dzw.com/AD7_S/AD7892ARZ-3.html">AD7892ARZ-3形的绝缘材料,在半导体器件及集成电路制作工艺中主...[全文]
- Sio2薄膜2016/6/11 17:25:01 2016/6/11 17:25:01
- S⒑2薄膜在集成电路中的应用十分广泛,从MOs器件的第一个掩膜开始,便可以看到So2薄膜的踪迹。AD7892ARZ-2REEL早期的MOS或CMOS器件的制作,大多数so2膜都是以热氧化法的方法...[全文]
- 氧化层层错2016/6/10 18:26:46 2016/6/10 18:26:46
- 针孔。针孔会破坏氧化膜的杂质掩蔽能力,会造成器件漏电流的增大,甚者会使器件击穿而失效。TD1501-5.0由于晶圆抛光效果不好,存在严重位错,在位错处不能形成s⒑2,于是产生针孔。针孔对器件的危...[全文]
- sio2膜的主要缺陷 2016/6/10 18:25:38 2016/6/10 18:25:38
- 膜厚不均匀。精度要TC54VC4202求不高时,厚度测量可用比色法、磨蚀法;精度要求高时,可用双光干涉法、电容一电压法、椭偏光法。S⒑2膜层的表面颜色一致,则说明膜厚均匀;若颜色有...[全文]
- 光干涉法2016/6/10 18:24:09 2016/6/10 18:24:09
- 光干涉法。光干涉TC1185-3.3VCT713法需要将氧化膜腐蚀出一个斜面,用黑蜡或真空油脂保护一定区域,然后放入HF酸中将未被保护的S⒑2层腐蚀掉,最后再用有机溶剂去掉黑蜡或真空油脂,于是就...[全文]
- sio膜的检测2016/6/10 18:22:19 2016/6/10 18:22:19
- ⒑2膜的质量直接关系到半导体芯片的性能,因此,其质量必须达到预定的要求。TC1-1-13M+氧化膜质量的主要要求有表面无斑点、裂纹、白雾和针孔等缺陷,厚度达到规定的标准,薄厚均匀,可动离子含量低...[全文]
- 掺氯氧化法2016/6/10 18:17:38 2016/6/10 18:17:38
- 在氧化气氛中添加微量氯元素进行s⒑2薄膜生长,能降低钠离子沾污,抑制钠离子漂移,T5750获得高质量的氧化膜,提高器件电性能和可靠性。常用的氯源有干燥高纯的氯气(C12)或氯化氢(HCl)和高纯...[全文]
- 集成电路的主要失效模式2016/6/9 22:33:13 2016/6/9 22:33:13
- 集成电路的主要失效模式有栅介层击穿短路、电参数退化、金属化互连线开路、AD9832BRUZ芯片烧毁、晶闸管闭环效应、电路漏电、电路无功能、存储数据丢失、保护电路烧毁、二次击穿和铝穿透,下面分别给...[全文]
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