固一固扩散
发布时间:2016/6/12 21:30:14 访问次数:495
固一固扩散指的是在硅晶圆片表面用化学气相沉积等方法生长薄膜的过程中同时在膜内掺入一定的杂质,A3242EUA然后以这些杂质为扩散源在高温下向硅片内部扩散。薄膜可以是掺杂的氧化物、多晶硅及氮化物等。目前,以掺杂氧化物最为成熟,其在集成电路生产中已经得到广泛的应用。
固一固扩散分两步进行,第一步,在低温(⒛0~80o℃)下沉积包含杂质的氧化层,以N型掺杂为例,将磷酸三甲酯和有机硅烷以50△的比例混合,置于750℃的真空反应腔内使其发生分解,在晶圆表面沉积一层五氧化二磷;第二步,升高反应温度至1⒛0℃,使表面的氧化层与硅反应生成杂质磷原子,磷原子再分布扩散,达到掺杂的目的。
固一固扩散指的是在硅晶圆片表面用化学气相沉积等方法生长薄膜的过程中同时在膜内掺入一定的杂质,A3242EUA然后以这些杂质为扩散源在高温下向硅片内部扩散。薄膜可以是掺杂的氧化物、多晶硅及氮化物等。目前,以掺杂氧化物最为成熟,其在集成电路生产中已经得到广泛的应用。
固一固扩散分两步进行,第一步,在低温(⒛0~80o℃)下沉积包含杂质的氧化层,以N型掺杂为例,将磷酸三甲酯和有机硅烷以50△的比例混合,置于750℃的真空反应腔内使其发生分解,在晶圆表面沉积一层五氧化二磷;第二步,升高反应温度至1⒛0℃,使表面的氧化层与硅反应生成杂质磷原子,磷原子再分布扩散,达到掺杂的目的。
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相关技术资料- 6-12固一固扩散
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- A3242EUA
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