光刻胶的下面是最终要被刻蚀形成图案的底层薄膜。如果这个底层是反光的, A3250JUATL那么光线将从这个膜层反射并有可能损害临近的光刻胶。这个损害会对线宽控制产生不利的影响,因此需要使用抗反射涂层。两种最主要的光反射问题是反射切口和驻波。

   在刻蚀形成的垂直侧墙表面,反射光进入不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口。

   驻波表征入射光波和反射光波之间的干涉,这种干涉引起了随光刻胶厚度变化的不均匀曝光。驻波的发生对深紫外光刻胶更加显著,因为很多硅片表面在较短的深紫外波长反射更加厉害。驻波的发生本质上降低了光刻胶成像的分辨率。减小驻波效应的方法有抗反射涂层、染料、曝光后烘焙。

   底部抗反射涂层:该涂层有2种,即有机抗反射涂层(吸收光以减少反射)和无机反射涂层(通过特定波长相移相消起作用)。选择抗反射涂层的一个因素是在完成光刻工艺后抗反射涂层被除去的能力。有些有机抗反射涂层是水溶的,通过显影步骤很容易去除。无机反射涂层较难被去除,有时留在硅片上成为器件的一部分。顶部抗反射涂层:顶部抗反射涂层在光刻胶和空气的交界面上减少反射。顶部抗反射涂层不吸收光,而是作为一个透明的薄膜干涉层,通过光线间的相干相消来消除反射。