- 可靠性测试结构需要采用自动或人工检查的方式2016/7/3 17:27:29 2016/7/3 17:27:29
- 可靠性测试结构需要采用自N310AP动或人工检查的方式,进行设计、电气和可靠性规则检查,以单独或组合的方式找出所有已知缺陷。(1)设计规则检查(DcsignRu⒗Chcck,DRC...[全文]
- 数据测量及处理2016/7/2 18:24:05 2016/7/2 18:24:05
- 或非门寿命时间计算Relpro+TM软件所用的热载流子注入效应模型方程,t是计算出的寿命;fr是比例常数;〃AD8031ARZ是沟道宽度;刀是指数因子;昭是指数因子;⒛是退化量。退...[全文]
- PMOS晶体管的亚阈值斜率要比NMOs晶体管的大一些2016/7/1 22:51:06 2016/7/1 22:51:06
- 结果表明,PMOS晶体管的亚阈值斜率要比NMOs晶体管的大一些。这主要CAP003DG是受到弱反型层载流子的迁移率的影响。空穴的迁移率要略小于电子,这就使得增大到同样数量级的漏极电流PMOS晶体...[全文]
- 亚阈斜率2016/7/1 22:47:20 2016/7/1 22:47:20
- 对于MOSFET,其沟道区表面能带发生弯曲还未到强反型地步时,器件处于截止状态。CAP009DG但在栅氧化层中电荷的作用下,表面可能处于弱反型,因而沟道中仍有很小的漏电流通过。相应的漏电...[全文]
- 环境温度对器件可靠性的影晌2016/7/1 22:32:22 2016/7/1 22:32:22
- 超大规模集成电路的数据手册中一般会给出最高结温、最高的储存温度、焊接CAP002DG时框架所允许的焊接温度与时间、塑封材料的热阻值等。器件所能耐受的最高温度随包封材料的不同而会有所不同。塑封器件...[全文]
- MOs结构中的电荷2016/6/30 21:55:36 2016/6/30 21:55:36
- 典型的MOs结构为Al一S⒑2一si或PolySisio2~Si结构。MOS结构的电荷和缺陷包括制造工艺引入的和辐射引入的两种性质的电荷和缺陷。M0334SJ200一般情况下,这些电荷聚积在...[全文]
- MOsFET的阈值电压 2016/6/30 21:42:37 2016/6/30 21:42:37
- 阈值电压是MOS晶体管的重要参数之一,阈值电压M0334RC120影响电路的输入/输出特性。按MOs晶体管的沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理,有两种类型的MOS晶体管。...[全文]
- 表示各种MOs参数和寄生因素的薄栅结构模型2016/6/30 21:24:56 2016/6/30 21:24:56
- 当考虑到栅电阻Rg和阱/衬底的电阻RwⅢ在结构中的空间波动时,可以重复画出通过Rs和α的电路单元饰:。如果连接线和测试点的寄生电阻电容、栅多晶M0280RC250的耗尽区、硅耗尽区...[全文]
- MOs管的设计 2016/6/29 21:15:29 2016/6/29 21:15:29
- 当多晶硅穿过有源区时,就形成HCPL-0611-500E了一个MOS管。当多晶硅穿过N型有源区时,形成NMOS管;当多晶硅穿过P型有源区时,形成PMOs管。图8.30所示是NMOs管的版图及剖面...[全文]
- 等比例缩小的3个规则 2016/6/29 21:00:52 2016/6/29 21:00:52
- 缩小器件的尺寸,可以减小沟道长度和寄生电容,从而改善集成电路的性能和集成度。MOS集成电路的缩小尺寸,包括组成集成电路的MOS器件的缩小尺寸,H57V2562GTR-75C以及隔离和互连线的缩小...[全文]
- MOs管的实际版图2016/6/29 20:50:00 2016/6/29 20:50:00
- 通过以上步骤完成了PMOS的版图绘制。接下来将绘制出NMOS的版图。H11AA2绘制NMOs管的步骤与PMOs管基本相同(新建一个名为NMOs的Ccll)。不同的是NMOs是做在P型衬底上,要有...[全文]
- 不同电容值的匹配设计2016/6/28 23:29:22 2016/6/28 23:29:22
- 图8.19(a)所示的2只晶体管的版图方向不同,匹配性能很差;图8.19(b)所示的2只晶体管的版图方向一致,但是两晶体管源漏极的周围环境不同,ADS1118这会引起源漏极的掺杂浓度、多晶硅刻蚀...[全文]
- FOundγ线质量管理体系的评价 2016/6/27 22:32:11 2016/6/27 22:32:11
- 通过设计可靠性测试芯片,采用MPW投片方式,分别对A公司和B公司的0.18umcMOs工艺线的HCI效应的可靠性进行了评估。失效判据分别是跨导、BP3319M饱和漏极电流的退化和阈值电压的漂移。...[全文]
- SPC是利用数理统计分析理论2016/6/27 22:30:38 2016/6/27 22:30:38
- 由于放大倍数大,常用于BP3319观察芯片表面金属互连线的短路、开路、电迁移、受腐蚀的情况,以及氧化层的针孔。还可用来观察硅片的层错、位错和抛光情况及对芯片微结构的尺寸进行测量等,是Fomdry...[全文]
- 净化间工作人员是最大的污染源之一2016/6/27 22:29:14 2016/6/27 22:29:14
- 净化间工作人员是最大的污染源之一。当一个BP3316D人以每小时两英里的速度走动时,他每分钟会释放高达五百万个颗粒,这些颗粒来自坏死的头发和脱落的皮肤。其他的颗粒源还有喷发胶、化妆品、染发和暴露...[全文]
- 所加的斜坡电压具有如下特征2016/6/27 22:03:29 2016/6/27 22:03:29
- 所加的斜坡电压具有如下特征:斜坡速率,0.1~1,0MV/(cm・s)线性上升;斜坡步进高度,最大0.1MV/cm;斜坡步进时间,小于或等于0.1s;最大电场,15MV/cm;最小...[全文]
- 加在金属条上的电流平缓上升,通过电流的级数收敛过程2016/6/26 20:05:04 2016/6/26 20:05:04
- 随后进入温度收敛阶段。加在金属IXFM9N100条上的电流平缓上升,通过电流的级数收敛过程,使驱动电流的增长按设定系数下降,温度则逐步上升达到目标温度。标准JESD61中的建议是用差分热阻或类似...[全文]
- 互连测试结构主要用来检测电迁移可靠性2016/6/26 20:01:07 2016/6/26 20:01:07
- 互连测试结构主要用来检测电迁移可靠性,特别设计的互连测试结构用来监测通孔和有源区连接孔的可靠性:热载流子器件测试结构测量热载流子注入MOs管和双极晶体管的绝缘层中时的效果,这种注入会使阈值电压、...[全文]
- 圆片级可靠性评价技术 2016/6/26 19:56:15 2016/6/26 19:56:15
- 半导体工业的发展使工艺过程越来越复杂,一方面可靠性要求不断提高,另一方面面临减少测试费用和时间的压力。圆片级可靠性技术则提供了一种解决问题的方法。IXFM21N60由于无须封装,热阻较低,可以采...[全文]
- MOS管的所有4个引线端都必须连接2016/6/25 22:42:34 2016/6/25 22:42:34
- MOS管的所有4个引线端都必须连接,不能浮地。为了减少在漏极应力电压和器件之间的寄生电压降落,从测量点到器件的源、栅、漏和衬底之间的电阻必须最小化。DAC08CP电容测试结构包括不同尺寸的大面积...[全文]
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