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Al/si接触及其改进

发布时间:2016/6/13 21:57:46 访问次数:1322

   Al与⒐之间没有硅化物形成,但可形成合金。Al在si中的溶解度十分低,但在Al中的溶解度却十分高。 HCNR201-500E因此,当Al与Si接触时,在退火过程中,就会有相当可观的⒏溶到Al中去。这将引起Al的尖刺现象,严重时会引起结短路,影响可靠性及成品率,如图2.19所示。

   图2.19 铝和硅之间反应导致的结穿通

   

   另外,衬底晶向对尖刺的形貌会产生影响,在(111)晶向,尖刺趋向横向扩展,而在(10ω晶向,尖刺趋向纵向扩展;双极电路采用(11D Si作为衬底,而在MOs电路中,为了减少界面态的影响而采用(100)si作为衬底。因此,尖刺现象在MOs电路中表现得尤为明显。所以,必须对尖刺现象进行改善。

   Al与⒐之间没有硅化物形成,但可形成合金。Al在si中的溶解度十分低,但在Al中的溶解度却十分高。 HCNR201-500E因此,当Al与Si接触时,在退火过程中,就会有相当可观的⒏溶到Al中去。这将引起Al的尖刺现象,严重时会引起结短路,影响可靠性及成品率,如图2.19所示。

   图2.19 铝和硅之间反应导致的结穿通

   

   另外,衬底晶向对尖刺的形貌会产生影响,在(111)晶向,尖刺趋向横向扩展,而在(10ω晶向,尖刺趋向纵向扩展;双极电路采用(11D Si作为衬底,而在MOs电路中,为了减少界面态的影响而采用(100)si作为衬底。因此,尖刺现象在MOs电路中表现得尤为明显。所以,必须对尖刺现象进行改善。

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