当考虑到栅电阻Rg和阱/衬底的电阻RwⅢ在结构中的空间波动时,可以重复画出通过Rs和α的电路单元饰:。

   如果连接线和测试点的寄生电阻电容、栅多晶M0280RC250的耗尽区、硅耗尽区、栅和阱/衬底的电阻可以忽略不计的话,电路模型可以简化成一般的G。x一咣x并行电路。

   图836 表示各种MOs参数和寄生因素的薄栅结构模型

   与电流源有关的问题包括高场时产生的高FN电流、斜坡上升过程中产生的位移电流、绝缘层击穿时产生的峰值电流、相邻结构和连接线的漏电流。为了避免电流引起的问题采用的措施有:使用宽条金属和多晶连接线,避免在峰值击穿电流期间金属或多晶条熔化、FN电流产生的电迁移、高电流下多晶电阻值的增加和测试

电容上的串联电阻产生的明显电压降;使用多个并行的连接孔和通孔,避免绝缘层击穿产生峰值电流期间的电路开路、FN电流产生的电迁移和电容上产生明显的电压降;估计在氧化层电容中场氧的横向均匀性,计算由于栅电极和衬底电极的方块电阻产生的电压降和与连接位置有关的电流密度;由多个小电容组成电容,当绝缘层被击穿时电流可能流过小电容,小电容的连线在绝缘层被击穿时不应熔断。

   设计出的电容是否合适需要进行验证,可把FN预测值与电容的r―/特性相比较,检查边沿轮廓,查看击穿结果,按照JEsD35的要求考察屏蔽损伤与非屏蔽损伤,是致命失效还是非致命失效。