亚阈斜率
发布时间:2016/7/1 22:47:20 访问次数:1563
对于MOSFET,其沟道区表面能带发生弯曲还未到强反型地步时,器件处于截止状态。CAP009DG但在栅氧化层中电荷的作用下,表面可能处于弱反型,因而沟道中仍有很小的漏电流通过。相应的漏电流称为亚阈值电流,通常将栅压小于阈值电压时半导体出现弱反型的状态称为亚阈值区。
当MOSFET应用于数字逻辑电路和存储电路时,器件的亚阈值行为就显得特别重要。这是由于亚阈值区描述了器件如何导通和截止,亚阈值斜率s是其中的关键参数。在MOSFET按比倒缩小的许多限制因素中,亚阈值斜率s便是其中之一。在MOSFET发生弱反型的亚阈值区,亚阈值斜率S被定义.
对于MOSFET,其沟道区表面能带发生弯曲还未到强反型地步时,器件处于截止状态。CAP009DG但在栅氧化层中电荷的作用下,表面可能处于弱反型,因而沟道中仍有很小的漏电流通过。相应的漏电流称为亚阈值电流,通常将栅压小于阈值电压时半导体出现弱反型的状态称为亚阈值区。
当MOSFET应用于数字逻辑电路和存储电路时,器件的亚阈值行为就显得特别重要。这是由于亚阈值区描述了器件如何导通和截止,亚阈值斜率s是其中的关键参数。在MOSFET按比倒缩小的许多限制因素中,亚阈值斜率s便是其中之一。在MOSFET发生弱反型的亚阈值区,亚阈值斜率S被定义.
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