- 磨片设备主要有英国logitcch公司的设备2016/8/9 20:58:38 2016/8/9 20:58:38
- P电极做好后,要进行背面减薄抛光工艺。由于AlC.aInPLED与GaNLED的材料性质不同,BAM04-24153-0502从背面开始的工艺设备有区别。首先Ga`s材料很易碎,因此其磨片减薄需...[全文]
- 芯片制造端的DBR制作2016/8/9 20:39:10 2016/8/9 20:39:10
- Tio2/S⒑2DBR膜系还能被用作具有反射B2B-PH-K-S作用的电流阻挡层,用以提高光提取效率(在,1小结己经提到过);还能与Ag、Al等高反射金属结合组成复合反射镜。如Nall~Ming...[全文]
- 用倾斜沉积的方式沉积2016/8/8 20:48:39 2016/8/8 20:48:39
- 针对第三、第四条不利因素,有研究FM24CL04B-G者u剐提出用两次倾斜沉积ITo的方式解决纳米柱LED之间电性连接问题,用此方式可以不对各个纳米柱之间进行填充,而直接将ITO弯转后连成一体实...[全文]
- 超净间的维护2016/8/8 20:32:02 2016/8/8 20:32:02
- 表面纹理化还是因为GaN和空气的折射率差太大,引起有FM24C16B-G源区发出的光因为发生全发射而使出光角度只有约23°,并且因为菲涅尔定律,就算垂直出射,也有约18%的光在界面...[全文]
- 反射电极2016/8/7 18:14:25 2016/8/7 18:14:25
- 对于GaN基LED,不管是蓝宝石衬底,还是碳化硅衬底,或者是硅衬底;也不管是传统正装结构,EP1C3T100I7N还是倒装结构,或者是垂直结构,都面临着p-GaN的欧姆接触、反射率以及其热稳定性...[全文]
- 退火工艺 2016/8/4 20:46:07 2016/8/4 20:46:07
- 退火工艺主要影响LED芯片的电压,G扒基蓝绿光LED芯片制造涉及的合金工艺主要有两类:一类ITo的退火,MLV-015A另一类金属的退火。不管哪种方式沉积的ITo,都需要进行进一步退火。ITo退...[全文]
- 软烤2016/8/3 22:01:02 2016/8/3 22:01:02
- 光刻胶在旋涂前含有65%~85%的溶剂,旋涂完毕后仍然含有10%~20%的溶剂,此JST7N80F时光刻胶仍被认为是“液态”,因此需要软烤步骤。软烤能将光刻胶中绝大部分溶剂成分去除,能增加光刻胶...[全文]
- RCLED远场强度分布与腔模共振波长的关系2016/8/3 21:22:25 2016/8/3 21:22:25
- 应选用短腔长￡c。经理论推导,沿出射光JST12N65F反射镜的法线方向,出射光强的增强其中兄和九分别是辐射光在腔内和空气中的波长,Δ凡是有源区在自然状态下(没有腔)辐射的谱宽。式(3-13)表...[全文]
- 随Al组分的增加,材料的寄生氧掺杂浓度增加2016/8/2 19:48:50 2016/8/2 19:48:50
- 图3-13(b)是在SiH4流量和V/III比固定的情况下,生长温度对材料中电子浓度的影响,随生长温度的增加,si的并入效率增加,电子浓度相应的增加。AAT3112IVN-4.5-T1因此,为了...[全文]
- 与有源区晶格常数匹配的衬底材料2016/8/2 19:24:05 2016/8/2 19:24:05
- 与有源区晶格常数匹配的衬底材料。LED所有外延层厚度的总和通常只有数微米,AAT1277IUT-T1比头发丝的十分之一还要小,如此薄的材料在器件的制备过程中是很难操作的,因此,LED的外延结构通...[全文]
- InxGa山N/GEN的晶格失配2016/8/1 21:31:09 2016/8/1 21:31:09
- 由于在生长完量子阱有源区以后一般还要在高温下生长AlG瘀限制层和GaN接触层,L6571BD在生长时相当于对InxGa1”N/GaN多量子阱进行了退火处理,jnl3q等人研究了在生长IllxGa...[全文]
- 蓝绿光LED外延结润设计与制备 2016/7/31 16:23:14 2016/7/31 16:23:14
- Ⅲ族氮化物材料(GaN、InN、AlN以及这3种二元材料组成的三元、四元合金材料)禁带宽度范围完全覆盖整个可见光波段,在传统半导体难以制备的蓝绿光波段(硐0~55Ollm)光电子器件方面,这些化...[全文]
- TEM检测技术2016/7/31 16:14:05 2016/7/31 16:14:05
- 透射电子显微镜(TransmissiollElectronMicroscopc,TEM),简称透射电镜,第一台TEM由马克斯・克诺尔和恩斯特・鲁斯卡于1931年研制而...[全文]
- AFM检测技术2016/7/31 16:05:06 2016/7/31 16:05:06
- 原子力显微镜(AtomicForccMicroscopc,AFM),也称扫描力显微镜(scanningFOrccMicroscopc,sFM),是一种纳米级高分辨的扫描探针显微镜,优于光学衍射极...[全文]
- 高分辨X射线仪的原理2016/7/29 21:41:36 2016/7/29 21:41:36
- 高分辨X射线衍射(HRXRD)以半导体单晶和半导体低维异质结构为主要研究对象,BAT54C是分析半导体材料及其结构的测试手段哪]。高分辨X射线衍射技术的发展与半导体工业的发展是紧密联系在一起的。...[全文]
- 蓝宝石(犴A12α)晶体结构与GaN相同2016/7/29 21:33:34 2016/7/29 21:33:34
- 蓝宝石(犴A12α)晶体结构与GaN相同,为六方结构。蓝宝石的优点是带隙宽、折射率低(1.7)、化学稳定性和热稳定好,在1000℃高温也不与氢气发生反应,可用于高温生长。BAS40-06价格相对...[全文]
- 反射率计如今也是MOCVD设备必不可少的眼睛2016/7/28 22:18:11 2016/7/28 22:18:11
- 辐射高温计需通过反应室的通光窗口测量衬底表面温度,利用发射率和Planck公式计算衬底的温度囫。A914BYW-470M但是发射率因生长材料不同而改变,另外当外延层中出现Fabry-Perot光...[全文]
- 要实现良好的衬底温度均匀性2016/7/28 21:45:10 2016/7/28 21:45:10
- 要实现良好的衬底温度均匀性,这是获得均匀外延层的前提。衬底的温度均匀性是由基座的温度均匀性来保证的。A1109AS-H-8R2M为使基座温度分布均匀,可以采用多区加热丝设计,并配合采用旋转基座等...[全文]
- FVM模式2016/7/27 22:00:32 2016/7/27 22:00:32
- 其中,层一层生长模式(或成核一生长模式,又称Fra酞~VandcrMc…c生长模式,简称FM或FVM模式)经常发生于晶格匹配和失配比较小,HD64F2318VTE25且衬底与外延层之间的键合能高...[全文]
- 典型的MOCVD生长过程2016/7/27 21:49:47 2016/7/27 21:49:47
- 典型的MOCVD生长过程示意图。在MOCVD反应室内,为了使生长的材料稳定、HD64F2166VTE33V可重复且均匀性好,通常要调整外延条件(如温度、压力、总气流量、衬底转速等)以在衬底表面形...[全文]
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