典型的MOs结构为Al一S⒑2一si或Poly―Si―sio2~Si结构。MOS结构的电荷和缺陷包括制造工艺引入的和辐射引入的两种性质的电荷和缺陷。M0334SJ200一般情况下,这些电荷聚积在s⒑2氧化层体内、si/s⒑2界面及金属表面和si表面薄膜,尤其是si/s⒑2界面附近的过渡层。大量的研究表明在si/so2系统中,存在着多种形式的电荷和能量状态,一般可归纳为以下4种基本类型:s⒑2层中的可动离子、S⒑2层中的圃定电荷、si/so2界面处的界面态、s⒑2中的陷阱电荷。

  层中的可动离子。主要是带正电的钠离子,还有钾、氢等正离子,通过沾污进入氧化膜中形成可动离子电荷。

   S⒑2层中的固定电荷。位于si/s⒑2界面附近,不能在so2中迁移,这种电荷受氧化层厚度或硅中杂质类型及温度的影响不明显。但这种电荷与氧化和退火条件,以及硅晶体的取向有很显著的关系。研究结果表明:在si/So2界面附近存在的过剩硅离子是固定表面正电荷产生的原因。其密度一般在1010~1012cm2范围内。