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电磁调速电动机调速方法有什么特点?2015/11/18 20:40:20
2015/11/18 20:40:20
电磁调速电动机调速方法有什么特点?适用于什么场合?答:电磁调K4M563233G-FN75速电动机的调速特点如下。(1)装置结构及控制线路简单、运行可靠、维修方便。...[全文]
三相异步电动机的旋转磁场是怎么形成的?2015/11/18 20:02:01
2015/11/18 20:02:01
三相异步电动机的旋转磁场是怎么形成的?答:三相异步电动机的定子绕组嵌放在定子铁心槽内,按一定规律连接成三相对称结构。K4H561638C-LCB3三相绕组AX,BY,CZ在空间互成...[全文]
氧化硅刻蚀( oxide etching)2015/11/17 19:32:02
2015/11/17 19:32:02
氧化硅刻蚀(href="http://www.51dzw.com/stock_D/DM74ALS14MX.html">DM74ALS14MX们使用缓冲二氧化硅腐蚀(BOFl),因为必须对HF进行...[全文]
维护晶圆洁净2015/11/17 19:20:27
2015/11/17 19:20:27
维护晶圆洁净,它是一DL0165R个微小环境并且与工艺设备匹配。四探针测试仪(four-pointprobe):用来测量晶圆表面电阻的电测没备反应炉(furnace):具备电阻加热元和温度控制器...[全文]
使用氧户℃和氢气生长二氧化硅的方法2015/11/17 19:15:20
2015/11/17 19:15:20
硅的掺杂物往往来源于元素周期表中的第IIJ族和第V族元素掺杂淀积(dopant'deposition):DG508ACJ扩散工艺过程的第-步。掺杂物原子扩散进入晶嘲表由i,掺杂(d...[全文]
引脚切筋成型2015/11/16 18:57:13
2015/11/16 18:57:13
金属罐型、FDZ202P旁侧黄铜的DIP器件或针栅阵列在进入封装工艺之前就已将引脚电镀完毕,CERDIP和塑料封装体在封装工序完成后进行电镀。引脚切筋成型封装T序中的...[全文]
键合前晶圆的准备2015/11/15 14:06:06
2015/11/15 14:06:06
当晶圆厂最后一道钝化膜及合金工序完成后,电路部分就算完成了。然而,TMS320DM642AZDK7晶圆在转到封装厂之前还需要对其进行一到两步处理。即晶圆减薄和背面镀金,这两步不是必须的,视晶圆的...[全文]
封 装2015/11/14 16:40:11
2015/11/14 16:40:11
晶圆电测后,每个芯片IR3094MTR仍是晶圆整体中的一部分。在应用于电路或电子产品之前,单个芯片必须从晶圆整体中分离出来,多数情况下,被置人一个保护性管壳中(见图18.1).随着芯片器件密度…...[全文]
定制一半定制逻辑2015/11/14 16:20:58
2015/11/14 16:20:58
定制一半定制逻辑:使用任何IR21814SPBF一种逻辑门方式排列,可以构建成百上千种不同的逻辑电路。它们的变化范围从定制小批量电路到货架标准。逻辑电路的批量生产需要某些专用化需求,许多设计和制...[全文]
二进制符号2015/11/14 16:13:48
2015/11/14 16:13:48
将数值转变成二进制符号,可以通过建立一个每一列都由2的幂表示的格子来完成。IR2085SPBF一串组成数字的0和1表示2的幂存在和缺少,可以表示数的实际值。二进制符号已经被认识有几...[全文]
晶体管2015/11/13 21:22:58
2015/11/13 21:22:58
晶体管工作模拟:NJM7809DL1A晶体管有3个接触点,两个结构成3个区的器件,可作为开关器件和放大器件。一个经常用来解释晶体管各个部分的作用和晶体管工作的例子就是水流系统(见图16.13)。...[全文]
晶圆传送自动化2015/11/12 20:01:59
2015/11/12 20:01:59
第三个自动化水平是晶圆可以被自动地发送到设备上,并自动上载或下载。除了生产上的优势,HY5DU561622ETP-4-C自动化还带来了人类环境改造学、安全和成本方面的好处。这些好处在FOUP中一...[全文]
良品率的提高2015/11/12 19:48:17
2015/11/12 19:48:17
尽管传统的商务因素确实受到了更多的关注,工艺和晶圆的良品率所受的关注也并不少。HX1250A良品率提高的效果折算成美元可以非常显著。如图15.7所示,第二行显示晶圆制造的良品率提高5个百分点,就...[全文]
非接触电容一电压测量2015/11/11 19:33:04
2015/11/11 19:33:04
非接触电容一电压测量:REF200AU前面介绍的电容一电压曲线检测需要十分苛刻的准备工作,包括时间消耗和原材料消耗。另一种决定电压漂移和其他MOS晶体管栅极参数的非接触法称为COS(光环一氧化物...[全文]
污染物和缺陷检测2015/11/10 20:08:57
2015/11/10 20:08:57
污染物和直观缺陷检测对于获得高的良品率和工艺控制是非常重要的。IRF530颗粒污染物主要通过光学技术检测,比如高强度光、显微镜、扫描电镜和其他自动装置。化学污染物通过俄歇(Auger)技术和电子...[全文]
椭偏仪2015/11/10 19:51:10
2015/11/10 19:51:10
椭偏仪是一个应用激光光源,工作原理与分光光度计截然不同的膜厚度测量仪器。IRF3205激光光源是极化光源。极化是指所有光束都在同一平面七传播的一种波。极化可以通过观察手电筒的光束想象出来。对于一...[全文]
掺杂多晶硅2015/11/9 19:48:53
2015/11/9 19:48:53
硅栅MOS技术的采用,AD8034ARTZ-REEL7使芯片上淀积的多晶硅线条变成r导体。为了作为导体使用,多晶硅必须被掺杂以增加其导电性。一般,首选杂质是磷,因为它在硅中有高的固熔度,掺杂可以...[全文]
必须由第二次图形化工艺来产生携带第二层金属的沟槽2015/11/9 19:44:56
2015/11/9 19:44:56
实际艺更复杂一点。在一个多层AD8014ARTZ-REEL7金属系统中,必须有一层直接将第一层金属与器件电连接。必须由第二次图形化工艺来产生携带第二层金属的沟槽,因此称为双大马士革(dual-d...[全文]
掺杂的二氧化硅2015/11/8 18:30:05
2015/11/8 18:30:05
二氧化硅的掺杂可以改善相应的保护特性和流动性,或者用来作为掺杂源。HDMP-1032AG最早用于淀积氧化物的掺杂剂是磷。磷源来自于加入淀积气体流中的磷烷。合成的玻璃称为磷硅玻璃或PSG,,在玻璃...[全文]
水平对流热传导LPCVD2015/11/7 22:10:56
2015/11/7 22:10:56
一种应用于生产的LPCVD系统中采用水平炉管式反应炉(见图12.18),GD-GM346GD02具有三个特殊性:首先,反应管与真空泵连接,将系统的压为降压力至0.25~2.0托-6。;其次,中心...[全文]
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