硅的掺杂物往往来源于元素周期表中的第IIJ族和第V族元素

掺杂淀积( dopant' deposition)：DG508ACJ扩散工艺过程的第-步。掺杂物原子扩散进入晶嘲表由i，掺杂( doping)：将某种杂质（掺杂物）引入半导体晶格，并改变其电特性。例如，在硅中加入硼使硅成为P刑半导漏极( drain)：tj源极，栅极共同构成单极型或场效应晶体管(FET)：动态随即存储器( dynamic random access memory)：存储数字信息的存储器、信息被存储在“易失”( volatile)状态推进( drive-in)：扩散l：艺的·个阶段，掺杂物被推向晶圆深处干法刻蚀( dry etch)：参见等离f体刻蚀。

   干氧化( dry ox)：使用氧户℃和氢气生长二氧化硅的方法。在工艺温度下形成水蒸气，而不是随接使用水蒸干氧化硅( dry oxide)：使用氧气热氧化牛成的二氧化硅．双大马士革( dual damascene)：一种图形化工艺，首先将要求的图形定义在晶圆卜^表面的沟槽哏，接F来用导电金属过填充．、通常使用化学机械抛光1j艺去除溢出的过填充，留F在槽内的金属图形

   电子束( electron-beam)：小需要掩模版而可以直接生成图像的曝光光源。电子束可以通过静电板的偏转到达准确的位置，产生亚微米级的图形。