当晶圆厂最后一道钝化膜及合金工序完成后，电路部分就算完成了。然而， TMS320DM642AZDK7晶圆在转到封装厂之前还需要对其进行一到两步处理。即晶圆减薄和背面镀金，这两步不是必须的，视晶圆的厚度和特殊的电路设计而定。

   晶圆减薄：晶圆级工艺使用凸点或焊球键合工艺。在通常晶圆制造工艺的最后，焊球被键合到芯片键合压点上。这种工艺将在18.4.6节叙述。

   晶圆逐渐增厚的趋势给封装工艺带来一系列问题。增厚的晶片在划片工序需要更昂贵的完全划开的方法。尽管划片刀可以划出更高质量的芯片边缘，但耗时长且消耗顶端镶有钻石的划片刀使得此工艺极其昂贵。增厚的芯片同时需要更深一些的贴片凹腔，使得封装更为昂贵。划片前如将晶圆减薄，就可以解决以上两个问题。

   另一个需要晶圆减薄的情况是电特性的要求。当晶圆通过晶圆厂的掺杂工序时，晶圆的背面没有被保护起来，掺杂剂会在晶圆的背部形成电的结，这样就会影响一些要求背面传导性好的电路的正常运行。这些结可以通过晶圆减薄来去除。并且，晶圆级和三维封装要求更薄的晶圆以免封装体更厚并提高屯性能。