- 饼式热感应APCVD2015/11/7 22:07:21 2015/11/7 22:07:21
- 饼式或垂直APCVD系统受到_『小型生产线和R&D实验室的钟爱（见图12.14）。G784RD1U在该系统中晶圆被放置在旋转的石墨托架上，并通过托架下面的射频线圈，以传导感应的方式给晶圆...[全文]
- 基本CVD系统构成2015/11/7 21:58:14 2015/11/7 21:58:14
- CVD系统有着多种多样的设计和配置。通过基本子系统的通用性分析，有助于对大部分CVl)系统多样化的理解（见图12.9）。大部分CVD系统的基本部分是相同的，G526-2P1UF如管式反应炉（已在...[全文]
- 基本CVD系统构成2015/11/6 19:45:27 2015/11/6 19:45:27
- CVD系统有着多种多样的设计和配置。通过基本子系统的通用性分析，AD7549JN有助于对大部分CVl)系统多样化的理解（见图12.9）。大部分CVD系统的基本部分是相同的，如管式反应炉（已在第7...[全文]
- 晶圆电荷积累2015/11/5 18:37:43 2015/11/5 18:37:43
- 高束流离子注入的一个问题是晶圆表面所带电荷（晶圆带电）大到无法接受的程度。AD7001ES高强度束流携带大量正电荷，使晶圆表面充电。正电荷从晶圆表面、晶圆体内和束流中吸引中和电子。高电压充电可以...[全文]
- 三种不同淀积时间的典型2015/11/5 18:23:16 2015/11/5 18:23:16
- 淀积工艺受几个因素控制或约束。一个因素是特定杂质的扩散率(diffusivity)。扩散率AD6622AS计量的是杂质在特定晶圆材料中的运动速率。扩散率越高，杂在晶圆中的穿越越快。扩散率随温度的...[全文]
- 图形反转2015/11/4 22:10:42 2015/11/4 22:10:42
- 在曝光小尺寸图形时，ADS7866IDBVR我们倾向于使用正胶，这一点茌前面已经讨论过了。其中一个原因就是正胶适于使用暗场掩模版做孔洞。暗场掩模版大部分被铬覆盖，因为铬不会像玻璃一样易损，所以缺...[全文]
- 抛光速度2015/11/4 22:02:53 2015/11/4 22:02:53
- 生产中考虑的首要参数是抛光速度，ADS7862Y影响抛光速度的因素有很多。上面描述的抛光垫的参数、磨料浆的种类和磨粉尺寸、磨料浆的化学成分，这些都是主要的因素。还有抛光垫压力、旋转速度；磨料浆的...[全文]
- 多层光刻胶或表面成像2015/11/3 20:08:55 2015/11/3 20:08:55
- 目前有很多种多层光刻胶工艺。NCP305LSQ45T1艺的选择取决于光刻胶需要打开的图形尺寸和晶圆表面形貌。尽管多层光刻胶工艺增加了额外的工艺步骤，但在某些场合它是唯一能达到规定图形尺寸...[全文]
- 防反射涂层2015/11/3 20:04:15 2015/11/3 20:04:15
- 防反射涂层(ARC)是在涂光刻胶之前在晶圆表面涂的一层物质，用来帮助光刻胶小图形成像（见图10.23）。防反射涂层对成像过程有几点帮助：NCP305LSQ27T1第一，平整晶圆表面，这样可以使光...[全文]
- 刻蚀率2015/11/2 21:00:13 2015/11/2 21:00:13
- 等离子体系统的刻蚀率由…系列因素来决定。系统设计和化学品是其中两个因素。EL1881CN其他因素是离子浓度和系统压力。离子浓度（离子数／cm3）是供给电极电能的一个函数（电能供应配置在第12章中...[全文]
- 刻蚀工序的另一个目标是保护被刻蚀层下的表面2015/11/2 20:36:52 2015/11/2 20:36:52
- 刻蚀工序的另一个目标是保护被刻蚀层下的表面。如果晶圆的下层表面被部分刻蚀掉，ECX-7700-XEN则器件的物理尺寸和电性能会发生改变。与保护表面相关的刻蚀工艺的性质是选择比(seleC-tiv...[全文]
- 刻蚀的目的和问题2015/11/1 19:10:29 2015/11/1 19:10:29
- 图形复制的精度依靠几个工艺参数。它们包括：不完全刻蚀、过刻蚀、钻蚀、选择比LE78D110BVC和侧边的各向异性／各向同性刻蚀。不完全刻蚀是指表面层还留在图形孔中或表面上的情况（见...[全文]
- 在显影检验阶段拒收的原因2015/11/1 19:05:19 2015/11/1 19:05:19
- 有很多原因可使晶圆在显影检验时被拒收。一般地，要找的仅是那些在当前光刻掩膜步骤中增加的缺陷。LAN91C111-NS每一片晶圆都会带有一些缺陷和问题，并且晶圆到达当前步骤时有可接受的质量，在这一...[全文]
- 喷雾式显影2015/11/1 18:51:04 2015/11/1 18:51:04
- 喷雾式显影：最受欢迎L3037QN-B6的化学显影方法是喷雾式的。事实上，通常有很多原因使喷雾式工艺对于任何湿法工艺（清洁、显影、刻蚀）来讲比沉浸式工艺更受欢迎。例如，用喷雾式系统可大大降低化学...[全文]
- 负光刻胶显影2015/11/1 18:49:06 2015/11/1 18:49:06
- 在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理．j负光刻胶暴露在光线下，L2B0786会有一个聚合的过程，它会阻止光刻胶在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率，使得聚合的区域光刻胶几乎没...[全文]
- 混合和匹配光刻机2015/11/1 18:35:09 2015/11/1 18:35:09
- 混合和匹配光刻机：较小几KS8695PX何尺寸的成像十分昂贵。但幸好一个产品的掩模版组中只有某几个关键层需要先进的成像技术。对于先进的电路，至少也有50%的非关键层【ioi。这些非关键层可以通过...[全文]
- 微波烘焙2015/10/31 19:34:26 2015/10/31 19:34:26
- 作为软烘焙加热源，EL5202IYZ微波具有红外线加热的优点，而且由于微波所带的能量更高，因此加热速度更快。软烘焙温度在1分钟内就完全可以达到。简短的时间适用于“载片器”软烘焙。旋转后，立刻将微...[全文]
- 垂直式反应炉2015/10/29 20:11:50 2015/10/29 20:11:50
- 对于较大直径晶圆，OM6357EL/3C3/5A水平式反应炉是氧化设备的选择”。，对于更大直径的水平式反应炉来讲，也会有相应的工艺问题。其中一个是如何保证气流是层流状态。层流状态(...[全文]
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