- 实验方法 2016/7/3 17:37:45 2016/7/3 17:37:45
- 为了在器件上产生最大的热载流子退化效应,需要预先确定栅极和漏极的应力电压。NDP7060要决定漏极应力电压,必须测试在不同栅极电压条件下器件的兔s-/Gs输出特性曲线。不管晶体管的击穿原因如何,...[全文]
- 可靠性模拟时调用衬底电流模型2016/7/2 18:33:39 2016/7/2 18:33:39
- 可靠性模拟时调用衬底电流模型,用衬底电流来表征热载流子退化。可以看AD8044AR-14出,热载流子退化对器件非常敏感,并且由此效应形成的衬底电流与过饱和漏源电压成指数关系。为抑制热载流子效应,...[全文]
- 漏极电流的对数值2016/7/1 22:49:12 2016/7/1 22:49:12
- 亚阈值斜率s的测量如图9.31所示,当/Gs比较小时由于弱反型层不明显,所CAP002DG以对应的电流值比较小(一般为pA级)。随着栅压的上升,漏极电流开始出现明显的变化。图中黑色实心点为拟合s...[全文]
- 当MOs结构加上衬底偏置电压2016/6/30 21:44:33 2016/6/30 21:44:33
- 强反型时,表面耗尽层中的空间电荷面密度随衬底杂质浓度的增大而增大,阈值电压也随之而变化。M0334RC200虽然阈值电压表达式中的饵、‰s和幺都随衬底杂质浓度的改变而变化,但在一般器件的参杂范围...[全文]
- NMOsFET的输出特性曲线2016/6/30 21:38:42 2016/6/30 21:38:42
- 现代CMOS工艺中,往往采M0310YH300用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度,从而改变阈值电压。对NMOS晶体管而言,注入P型杂质,将使阈值电压增加;反之,注入N型杂质将使阈值电压降低,如果...[全文]
- MOS电容参数和寄生因素2016/6/30 21:21:12 2016/6/30 21:21:12
- 栅电极和硅衬底之间的功函数差与栅电极和衬底的掺杂有关。对衬底掺杂浓度为1016cm3的N型硅,若电极是铝电极,典型的功函数差是一0.25V。M0268SJ250工艺上常用重掺杂的多晶硅代替铝作栅...[全文]
- 连接孔的最大电流密度2016/6/29 21:13:31 2016/6/29 21:13:31
- 加速试验表明,为了使器件能在25℃、5V环境下工作10年,最薄的栅氧化层厚度应不小于7,2nm,随着温度的上升氧化层还得加厚(9,3nm,150℃)。HCNW2611-500E由于短沟道器件的横...[全文]
- 一个非门的设计过程 2016/6/29 20:48:00 2016/6/29 20:48:00
- 点击Po1y层画出栅极,Poly与有源新建一个名为pmos的Ccll,画出有源区,区的位置关系如图8.23所示。然后画整个PMOs管。为了表H1102NL明画的是PMOs管,必须在...[全文]
- 减小随机失配2016/6/28 22:07:54 2016/6/28 22:07:54
- 减小随机失配。一般来说ADM2587EBRWZ,电容失配与面积的平方根成反比,即容量为原来的2倍,失配减小约30%。不同大小电容匹配时,匹配精度由小电容决定。电阻失配与宽度成反比,即阻值为原来的...[全文]
- MPW投片的目的2016/6/28 21:40:12 2016/6/28 21:40:12
- MPW投片的目的在于提高设计效率、降低开发成本。现在主流Foundγ厂的硅片直径为12英寸,每次工程批至少提供6~12片。如果在同一硅片上,ADF4110BRUZ只进行单一集成电路设计项目试验流...[全文]
- 设计规则举例 2016/6/28 21:25:15 2016/6/28 21:25:15
- 设计规则检查软件,对版图AD620ARZ-REEL的几何尺寸进行检查时,对于宽度低于规则中最小宽度的几何图形,将给出错误提示。表8.1列出了0.18umCMOS工艺中各版图层的线条最小宽度。表8...[全文]
- 版图的几何设计规则 2016/6/28 21:10:52 2016/6/28 21:10:52
- 芯片在加工过程中会受到多种非理想因素的影响,如光刻分辨率问题、多层版之间的套准问题、ACE721CADJBN芯片表面的平整度、工艺制作中的扩散和刻蚀问题,以及因载流子浓度不均匀分布所导致的问题等...[全文]
- 影响Foundγ线质量与可靠性的管理要素 2016/6/27 22:27:43 2016/6/27 22:27:43
- 影响Foundry线质量与可靠性的管理要素有净化间的温湿度控制、设备校准与维护、BP3315人员引起的污染预防、扫描电镜检查及能谱分析、内部目检、生产工艺的sPC控制等。净化间内的...[全文]
- 基于斜坡电流的栅氧可靠性评价2016/6/27 22:14:23 2016/6/27 22:14:23
- 测量方法在器件生产过程中薄栅氧化层上的高电场是影响器件成品率和可靠性的主要因素。BP3106当有足够的电荷注入氧化层时,会发生氧化层介质的击穿,这种击穿可以在介质层上施加电流或施加...[全文]
- 自加热恒温电迁移试验步骤2016/6/26 20:03:41 2016/6/26 20:03:41
- 在圆片级金属互连与接触可靠性的研究中,依据试验的目的不同,采用的方法分别有恒温、IXFM42N20恒流和标准圆片级电迁移加速试验。这3种方法各有特点,恒温测试需要调节电流,以维持温度的恒定;恒定...[全文]
- TCV结构不需使用鉴定过的外壳2016/6/25 22:48:46 2016/6/25 22:48:46
- 所有TCV测试结构应采用与工艺中标准电路相同的封装材料和组装工艺进行封装。DAC08EP在某些情况下,TCV坝刂试结构不能按上述要求进行封装时,可以将TCV封装在合适的外壳中来评价待认证的芯片工...[全文]
- 表面贴装工程2016/6/24 22:48:37 2016/6/24 22:48:37
- 表面贴装工程(St】rfaccMountAsscmb灯,SMA)是随表面贴装元件(SMC)和表面贴装器件(sMD)的诞牛和人量应用,而发展起来的新一代的电子组装技术。E32-TC200F它是目前...[全文]
- 选择性焊接只将热传导到需要焊接的焊盘和引脚处2016/6/24 22:36:47 2016/6/24 22:36:47
- 选择性焊接只将热传导到需要焊接的焊盘和引脚处,这样就极大地消除了PCB板弯曲变形造成的缺陷。E32-TC200B4这些特性在使用无铅焊膏和水溶性助焊剂时尤为重要。无铅焊接需要相对高的温度,因此焊...[全文]
- 加速系数是加速寿命试验的一个重要参数2016/6/23 22:09:50 2016/6/23 22:09:50
- f是某寿命特征(如平均寿命、中位寿命、特征寿命等);s是应力水平;αs)为应力水平s的函数;夕、D为待定参数。ADM1181AARW当产品的寿命服从指数分布exp(龙)时,常将平均...[全文]
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