可靠性模拟时调用衬底电流模型,用衬底电流来表征热载流子退化。可以看AD8044AR-14出,热载流子退化对器件非常敏感,并且由此效应形成的衬底电流与过饱和漏源电压成指数关系。为抑制热载流子效应,必须尽可能减少MOS管上的漏源电压值。

   CMOs数字电路中,热载流子引起的MOS管退化总是发生在开关的瞬间,也就是输入和输出电压波形经历由低到高或由高到低变化的过程中。因此,器件在给定时间内经历的开关次数决定了实际的退化水平。所以减小器件在给定时间内的开关工作次数有利于抑制热载流子效应。

   输入上升沿经历的时间越长,NMOs管在饱和区停留的时间越长,热载流子引起的性能退化越严重。故缩短输入上升沿时间对于抑制器件热载流子退化是有效的。BTABERT模拟仿真软件中所用的NMOS DC寿命模型表达式如下: