亚阈值斜率s的测量如图9.31所示,当/Gs比较小时由于弱反型层不明显,所CAP002DG以对应的电流值比较小(一般为pA级)。随着栅压的上升,漏极电流开始出现明显的变化。图中黑色实心点为拟合s值所采用的数据,对其拟合就可以得出该温度下的亚阈值斜率。

   图931 25℃时MoⅢET的吒s-log几s曲线和拟合得出的s值 为测量全温区范围内的亚阈值随温度的变化关系,利用0.18um CMOS工艺的MOsFET在全温区(犭5~125℃)范围内进行了亚阈值斜率的测量。先在室温下测出器件的阈值电压,然后在小于该阈值电压的栅压下取8个测量点,进行亚阈值斜率的测量。利用这种方法,对全温区(55~125℃)内每10°C为间隔分别做出NMOS晶体管和PMOs晶体管的亚阈斜率s随温度变化的趋势,如图9.32所示。