现代CMOS工艺中,往往采M0310YH300用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度,从而改变阈值电压。对NMOS晶体管而言,注入P型杂质,将使阈值电压增加;反之,注入N型杂质将使阈值电压降低,如果注入剂量足够大,可使器件沟道区反型变成N型。这时,要在栅极上加上负电压,才能减少沟道中电子浓度,使器件截止。在这种情况下,阈值电压变成负值,对应的沟道关断电压称为夹断电压。

   图9,2 NMOsFET的输出特性曲线

   根据阈值电压的不同,MOS晶体管分成增强型和耗尽型2种。对于N沟MOs晶体管,阈值电压大于0的器件称为增强型晶体管,阈值电压小于0的器件称为耗尽型晶体管。PMOs晶体管和NMOS晶体管在结构上是一样的,只是源漏衬底的材料类型和NMOS晶体管相反,工作电压的极性也相反。