强反型时,表面耗尽层中的空间电荷面密度随衬底杂质浓度的增大而增大,阈值电压也随之而变化。 M0334RC200虽然阈值电压表达式中的饵、‰s和幺都随衬底杂质浓度的改变而变化,但在一般器件的参杂范围内,影响最大的仍然是鱿。所以可以用改变衬底杂质浓度的办法,通过鱿的变化来调整阈值电压。当忽略杂质浓度变化对饵和‰s的影响时,由于离子注入所引起的阈值电压增量.可见,改变沟道掺杂注入剂量就能够控制和调整MOs器件的阈值电压。当衬底杂质浓度低于1013cm3时,阈值电压基本不随杂质浓度变化,而由表面态电荷密度么s决定;当衬底杂质浓度较高时,阈值电压随杂质浓度的变化而迅速改变。

   当MOs结构加上衬底偏置电压时,表面耗尽层随着衬底偏置电压的增大而展宽,空间电荷面密度也随之增大,由此引起阈值电压的漂移。不论是N型硅还是P型硅,其费米势都随着衬底杂质浓度的增大而上升。而在对数坐标上,随衬底浓度增大而上升的速度很慢。因此,当改变衬底浓度时,阈值电压表达式中的费米势的变化不大;但当环境温度变化时,费米势将会有显著的改变。