知道了产生软误差的物理过程,也就有D1FL/L4了防止的措施。

   (l)提高封装材料的纯度,减少α粒子的来源。

   (2)片表面涂阻挡层,如聚酸胺系列有机高分子化合物,阻止α粒子射到芯片中。

   (3)从器件设计入手,增加存储单元单位面积的电荷存储容量,如采用介电系数大的材料或沟槽结构电容,增大存储电容面积。也可在衬底中加隐埋层,提高杂质浓度,并使隐埋层杂质分布优化,使电荷收集效率小而又不致提高结电容,降低电路性能。

   (4)优化电路设计,从电路设计入手,采用纠错码(EⅡor CoⅡccting Code,ECC)技术。

   (5)改进时序控制电路。DRAM中采取了复杂的时序控制电路,缩短了位线电压的浮动时间。