- soi技术2017/5/10 21:28:01 2017/5/10 21:28:01
- SOI(sclnInsulator)是指在绝缘衬底上异质外延硅获得的外延材料。SOI是优质的器件和集成电路材料。衬底绝缘,制作的电路采用介质隔离,因而具有寄生电容小、G20N50C1D速度快、抗...[全文]
- 硅的选择外延技术需要氧化物表面具有高清洁度2017/5/9 22:17:53 2017/5/9 22:17:53
- 硅的选择外延技术需要氧化物表面具有高清洁度,外延气体中应含有一定剂量的氯原子(或氯化氢气体分子)。氯原子的存在能提高硅原子的活性,LD39015M15R可以抑制硅原子在气相和二氧化硅表面的成核。...[全文]
- 对生长速率有影响的其他因素2017/5/9 21:48:47 2017/5/9 21:48:47
- 对生长速率有影响的其他因素气相质量传递过程的快慢还和外延反应器结构类型、气体流速(流量)等因素有关;而表LD1117SC-R面外延过程还和硅衬底晶向有关,硅衬底晶向对外延生长速率也...[全文]
- 影响外延生长速率的因素2017/5/9 21:44:42 2017/5/9 21:44:42
- 外延置艺是受气相质量传递过程和表面外延过程所控制的,所以外延生κ速率也就主要由这两个过程中较慢的一方决定。温度对生长速率的影响气相质量传递过程的快慢主要由外延剂气相扩...[全文]
- 基座表面气流边界层形成示2017/5/9 21:38:43 2017/5/9 21:38:43
- 外延气体主要成分是氢气.在T=⒛0℃时,有ρ=2,5×103酽cll1・,〃=⒛0×106酽(∞vω,v通常控制在几十αVs,外延室内气体的Rc只有⊥00左右,远小于临界雷诺数,因...[全文]
- 带有多个电荷的空位浓度也类似2017/5/7 16:46:45 2017/5/7 16:46:45
- 带有多个电荷的空位浓度也类似,正比于电子浓度对本征载流子浓度之比的若干次幂,幂次和GAL16V8D-15LPN电荷数相等,例如,-2价空位浓度为:空位缺陷叉称为肖特基(s山ottk...[全文]
- 硅晶体的不同晶面、晶向性质有所差异,2017/5/7 16:42:00 2017/5/7 16:42:00
- 由硅的晶格结构及晶向、晶面特点可知,在E111彐晶向,原子分布最为不均匀,存在原G911T24子双层密排面(111)。双层密排面自身原子间距离最近,相比其他晶面结合最为牢固,晶面能也最低,化学腐...[全文]
- 硅的几种常用晶面上原子2017/5/7 16:40:39 2017/5/7 16:40:39
- 实际上,E111彐晶向就是(1l1)晶面的法线方向,也可以用E111彐晶向来表示(111)晶面。G2R-2-DC12V同理,E100]晶向是(100)晶面的法线方向,E110]晶向是(110)晶...[全文]
- 批量复制和广泛的用途2017/5/6 18:01:50 2017/5/6 18:01:50
- 双极型晶体管芯片制造的主要工艺流程可知,用9个主要单项工艺步骤就能完成晶体管管芯的制造。NAT9914BPD只要缩小每个管芯尺寸,增大硅片面积,不需要增加工艺步骤,完成一次工艺流程制造出的管芯就...[全文]
- 集成电路所用材料必须“超纯”,2017/5/6 17:59:54 2017/5/6 17:59:54
- 集成电路所用材料必须“超纯”,这和工艺环境要求“超净”相一致。超纯材NANDA8R3N0AZBB5E料是指半导体材料(不包括专门掺入的杂质),其他功能性电子材料及工艺消耗品等都必须为高纯度材料。...[全文]
- 晶体管制造工艺包含前工艺和后工艺两部分2017/5/6 17:35:09 2017/5/6 17:35:09
- 晶体管制造工艺包含前工艺和后工艺两部分。晶体管芯片工艺称为晶体管制造前工艺,是集成NAC-30-472电路产品制造的特有工艺。晶体管芯片工艺完成之后,接下来的I艺称为晶体管制造后工艺,如图⒍1微...[全文]
- 选择继电器的触点形式2017/5/5 21:10:11 2017/5/5 21:10:11
- (1)选择继电器的触点形式由于P6SMBJ10CA-AX磁保持湿簧式继电器中湿簧管的触点有“先合后断”与“先断后合”两种类型，在使用时应根据负载实际电路的需求来选用。(2)选择电磁...[全文]
- 吸合电压2017/5/5 20:37:52 2017/5/5 20:37:52
- (1)吸合电压（电流）继电器所GD75232PWR有触点从释放状态到达工作状态的所对应的电压或电流的最小值（该电参量不能作为可靠工作值）。为了能够使继电器的吸合动作可靠，必须给线圈...[全文]
- 系统性能的提高并不需要全部用在提高系统信噪比2017/5/5 20:33:26 2017/5/5 20:33:26
- 随着红外探测技术的不断发展,通过采用TDI延迟积分技术、高性能红外焦平面探测器(高的比探测率D)、低温光学技术等,当GD75232DBR前红外光电探测系统的性能正在迅速提高。但是,从对目标的检测...[全文]
- LED数码管的检测2017/5/5 20:31:44 2017/5/5 20:31:44
- 把黑表笔接LED数码器的1脚，将电GD75232D池负极引出一条软线，用软线依次去接触LED数码器的其他引脚(2～10引脚)若只有软线接触3脚和8脚，LED数码管某一笔段才发出光来，而接...[全文]
- FY-1光学系统设计2017/5/4 19:36:54 2017/5/4 19:36:54
- 主光学系统为⒛0mm口径双抛物面反射式望远镜结构。光学系统布局见图5-31。从主光学系统出来的平行光束经红外/可见光分束片D1分成两束,反射后的红外光束再由D3红外分色片分光,Q3...[全文]
- 垂直探测通道2017/5/3 22:06:11 2017/5/3 22:06:11
- 垂直探测仪由光机、电子线M30620FCAFP路和电源等模块组成。光机模块由望远镜、扫描组件和探测器组成,全部安装在卫星外部的基板上,同时安装太阳罩和百叶窗组件,以防辐射和进行热控。电子线路模块...[全文]
- 静止轨道气象卫星2017/5/2 21:38:34 2017/5/2 21:38:34
- 静止轨道气象卫星静止轨道气象卫星又称为高轨-地球同步轨道气象卫星,位于在赤道上空近笳,OCXlkm高度处,M2732AF6圆形轨道,轨道倾角为0°,绕地球一周需⒉h,卫星公转角速度...[全文]
- 扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内2017/4/30 19:50:47 2017/4/30 19:50:47
- 热扩散是在1000cC左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素气态下、扩G34N100E散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内，气态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶...[全文]
- 金属罐法使用圆柱形的封装体2017/4/29 12:34:30 2017/4/29 12:34:30
- 金属罐法使用圆柱形的封装体，其引脚排列延伸至基底，芯片连接在基底fi，芯片与跟外部引脚相连接的导柱之间完成线压焊连接，、AD9708ARZRL顶盖与基底相对称的法兰焊接在…起形成密封型封装。这些...[全文]
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