- 电源滤波器安装在屏蔽体的电源线人口处2017/6/17 20:22:04 2017/6/17 20:22:04
- 由图3.79可见,电源线进入产品的屏蔽体后,传送到电源滤波器还有一段较长的距离(约40cm),来自PCB或开关电源中的高频信号通过空间传输会耦合(容性耦合和感性耦合)到这段线上,使电源滤波器无法...[全文]
- 解决这个问题可以有两个方案2017/6/17 20:04:42 2017/6/17 20:04:42
- 【处理措施】解决这个问题可以有两个方案。首先可EA30QS04F-TE16F2以将导线分开,减小导线之间的互感和寄生电容,特别是将电源线与放大器的输入、输出线分开,并将放大器的输入...[全文]
- 修改布线后辐射发射测试结果2017/6/17 20:00:30 2017/6/17 20:00:30
- 信号线(USB、耳机、麦克风线)从主板引向机箱接口时,横跨过整个主板,并且E10QS10离主板表面的距离较近(争2cm),导致主板上的高频噪声也向信号线(USB、耳机、麦克风线)传递。...[全文]
- USB接口部分电路原理2017/6/16 20:35:56 2017/6/16 20:35:56
- 可见,在148.34MHz的频率处,辐射下降了近4.5dB,但是离限值线的余量较小。M27C256B-12F1进一步检查数码相机中印制电路板的电路原理,发现控制芯片的电源采用磁珠与...[全文]
- PCB布线2017/6/15 20:11:12 2017/6/15 20:11:12
- PGND的分割线通过变压器体正下方,分割线宽应在100而l以上,见图3.27,M24C02-RMC6TG并保证输入/输出线有很好的隔离,见图3.⒛中乙4,隔离可以采用图3.”中所示的铺GND的方...[全文]
- 试图用屏蔽电缆来改善产品EMC特性2017/6/15 20:06:49 2017/6/15 20:06:49
- 【思考与启示】试图用屏蔽电缆来改善产品EMC特性,一定要保证屏蔽电缆接地良好,否则可能事倍功半。以太网是一种高速接口电路,很多带M24512-RDW6TP有以...[全文]
- 由电缆布线造成的辐射超标2017/6/14 22:36:39 2017/6/14 22:36:39
- 【现象描述】对某产品进行辐射发射测试,发现其不能满足要求,具体现象是从100~230MHz频段内出现严重超标,MTV6N100E最大点超过ClassB限值⒛dB之多。测试频谱如图3...[全文]
- 单圈电位器2017/6/13 19:15:43 2017/6/13 19:15:43
- 单圈电位器具体选用方法:这类电位器是目前众多电位器产品中应用最为普遍的一类;其动触点只能在360°范围内滑动;家用电器中的音量、音调调节,PDS760Q-13电视机中的对比度、色度、亮度等的调节...[全文]
- 触发脉冲的移相范围应能满足主电路的要求2017/6/12 20:00:22 2017/6/12 20:00:22
- 触发脉冲的移相范围与主电路的形式、负载性质及变流装置的用途有关。L7805CV例如,单相全控桥电阻性负载要求触发脉冲移相范围为180°,而电感性负载(不接续流管时)要求移相范围为⒇°。=相半波整...[全文]
- 感应加热炉对晶闸管中频电源的输出频率要求2017/6/12 19:42:20 2017/6/12 19:42:20
- 感应加热炉对晶闸管中频电源的输出频率要求感应加热炉的电效率与频率之问是相关联的,从电效率出发可以决定晶间管中频电源的输出频率,L5150BNTR称这一频率为几。感应器实际上是一个电...[全文]
- 对于PCB工作地与金属外壳之间互连时所形成的搭接阻抗问题2017/6/9 20:04:14 2017/6/9 20:04:14
- 对于PCB工作地与金属外壳之间互连时所形成的搭接阻抗问题,请看图2.86所示EDD2532TDBH-7DTS-E的PCB2与J金属外壳存在高阻抗连接时的EsD干扰电流路径分析图。在图2.86所示...[全文]
- 导线的阻抗2017/6/9 19:25:19 2017/6/9 19:25:19
- 谈到地线的阻抗引起的地线上各点之间的电位差能够造成电路的误动作,许多人E0508D-677A觉得不可思议。用欧姆表测量地线的电阻时,地线的电阻往往在毫欧姆级,电流流过这么小的电阻时怎么会产生这么...[全文]
- PCB中地平面之间的分布电容最大,2017/6/8 21:23:45 2017/6/8 21:23:45
- 由于DB连接器外壳及机壳与内部电路的地平面、信号线之间都存在分布电容,其中与PCB中地平面之间的分布电容最大,如图2.54中CP所示,该分布电容在静电放电高频干扰自勺情况下是不容忽略的c在Δσ存...[全文]
- 产品的屏蔽与EMC2017/6/7 20:53:40 2017/6/7 20:53:40
- 屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔离,以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。用屏蔽体将元器件、电路、组合件、AAT11732-Q5-T电缆或整个系统的干扰源包围起来,防...[全文]
- 天线产生的辐射强度只与天线上共模电流大小有关2017/6/6 20:07:04 2017/6/6 20:07:04
- 在电子产品中,除了产品功能电路原理图所表述的信息外,还存在非常多未知的信息,L0109NTRP如信号线与信号线之间的寄生电容、寄生互感,信号线与参考地之间的寄生电容,信号线的引线电感,等等。这些...[全文]
- 辐射发射测试实质2017/6/6 20:05:25 2017/6/6 20:05:25
- 辐射发射测试实质上就是测试产品中两种等效天线所产生的辐射信号,第一种L0109MTRP4是等效天线信号环路,环路是产生的辐射等效天线,这种辐射产生的源头是环路中流动着的电流信号(这种电流信号通常...[全文]
- 反射的重要性2017/6/6 19:51:52 2017/6/6 19:51:52
- 当人看向一面镜子时,会联想到电磁辐射的反射效应。为什么波会从金属表面反射回来呢?L0107NTRP这些辐射的反射结果是什么呢?反射的基础是金属表面的场边界条件。对于E场和Ⅱ场的场边界条件如图1....[全文]
- 预先非晶化是一种实现2017/6/4 18:57:55 2017/6/4 18:57:55
- 预先非晶化是一种实现p←结的比较理想的方法。如在注硼之前,先以重离子高剂量注入,使硅FGH40T120SMD_F155表面变为非晶的表面层。这种方法可以使沟道效应减到最小,与重损伤注人层相比,完...[全文]
- 现代掺杂工艺的最大挑战是超浅结的形成2017/6/4 18:56:48 2017/6/4 18:56:48
- 随着集成电路的快速发展,对芯片加工技术提出更多的特殊要求,其中MOS器件特征尺寸进入纳米时代对超浅结的要求就是一个明显的挑战。FGH40T120SMD半导体器件的尺寸不断缩小,要求源极、漏极以及...[全文]
热门点击
- 硅的几种常用晶面上原子
- 硅晶体的不同晶面、晶向性质有所差异,
- 二氧化硅的理化性质及用途
- 光调制分为内调制和外调制两种
- 影响溅射率的因素主要有
- 电压波动和闪烁的问题对策
- 硼扩散
- 穿心电容的结构及安装
- 电视信号发生器
- CVD-TiN淀积
IC型号推荐
- LQW15AN10NG00D
- LQW15AN10NH00D
- LQW15AN10NJ00D
- LQW15AN11NG00D
- LQW15AN11NH00D
- LQW15AN11NJ00D
- LQW15AN12NG00D
- LQW15AN12NH00D
- LQW15AN12NJ00D
- LQW15AN13NG00D
- LQW15AN13NH00D
- LQW15AN13NJ00D
- LQW15AN15NG00D
- LQW15AN15NH00D
- LQW15AN15NJ00D
- LQW15AN16NG00D
- LQW15AN16NH00D
- LQW15AN16NJ00D
- LQW15AN18NG00D
- LQW15AN18NH00D
- LQW15AN18NJ00D
- LQW15AN19NG00D
- LQW15AN19NH00D
- LQW15AN19NJ00D
- LQW15AN1N3C10D
- LQW15AN1N3D10D
- LQW15AN1N5B00D
- LQW15AN1N5C00
- LQW15AN1N5C00D
- LQW15AN1N5D00D