基座表面气流边界层形成示
发布时间:2017/5/9 21:38:43 访问次数:653
外延气体主要成分是氢气.在T=⒛0℃时,有ρ=2,5×103酽cll1・,〃=⒛0×106酽(∞vω,v通常控制在几十αVs,外延室内气体的Rc只有⊥00左右,远小于临界雷诺数,因此,外延气体处于层流状态。 LD1117S18CTR压力驱动层流状态黏滞性气体的流动应为泊松流(Possedk Flow)。泊松流沿着垂直气流方向,气体的流速为抛物线型变化。基座表面及反应室壁面的气体,由于受到摩擦力作用流速为零。所以,外延气体在反应器中流动是从进气端匀速流入,在垂直气流方向以完全展开的抛物线型流速流出。
气体中的外延剂sHJ,在基座上硅表面分解消耗掉,生长出硅外延层,故基座表面浓度最低;而沿着气流方向sH4的浓度也逐渐降低,即进气端最高、出气端最低'基座上方气体的温度分布正好相反,基座表面温度最高,离开基座表面垂直于气流方向迅速降低;而沿着气流方向温度将略有升高。这时,在基座表面形成边界层,边界层是指基座表面垂直于气流方向上,气流速度、反应剂浓度、温度受到扰动的薄气体层。图35所示是基座表面气流边界层形成示意图。
外延气体主要成分是氢气.在T=⒛0℃时,有ρ=2,5×103酽cll1・,〃=⒛0×106酽(∞vω,v通常控制在几十αVs,外延室内气体的Rc只有⊥00左右,远小于临界雷诺数,因此,外延气体处于层流状态。 LD1117S18CTR压力驱动层流状态黏滞性气体的流动应为泊松流(Possedk Flow)。泊松流沿着垂直气流方向,气体的流速为抛物线型变化。基座表面及反应室壁面的气体,由于受到摩擦力作用流速为零。所以,外延气体在反应器中流动是从进气端匀速流入,在垂直气流方向以完全展开的抛物线型流速流出。
气体中的外延剂sHJ,在基座上硅表面分解消耗掉,生长出硅外延层,故基座表面浓度最低;而沿着气流方向sH4的浓度也逐渐降低,即进气端最高、出气端最低'基座上方气体的温度分布正好相反,基座表面温度最高,离开基座表面垂直于气流方向迅速降低;而沿着气流方向温度将略有升高。这时,在基座表面形成边界层,边界层是指基座表面垂直于气流方向上,气流速度、反应剂浓度、温度受到扰动的薄气体层。图35所示是基座表面气流边界层形成示意图。