- 凯Nl薄膜的淀积速率随着各种气体总压2017/5/20 21:21:02 2017/5/20 21:21:02
- SiH2C1或sC1是LPCVDs屯N4使用较多的硅源,工艺温度在700~85O℃之间,气体压ACT2802CQL-T力在10~100Pa范围,和⒊H2C炻或⒊α返反应的气体主要是NHd。化学反...[全文]
- 等离子增强化学气相淀积2017/5/19 21:18:34 2017/5/19 21:18:34
- 等离子增强化学气相淀积(PhsmaE岫⒛cedCX/Tl,PECVD)是采用等离子体技术把电能耦合到气体中,激活并维持化学反应进行薄膜淀积的一种工艺方法。K4B1G0846F-HCH9为了能够在...[全文]
- 立式反应器中浮力驱动的再循环流2017/5/18 21:21:15 2017/5/18 21:21:15
- 表面化学反应过程是指步骤③和步骤④,硅烷的主要化学反应方程式为,g表示为气态;a表示被衬底表面吸附状态;s表示为固态;双向箭头表示有逆向反应存在。化学气相淀积过程中,激活并OMAP...[全文]
- 硅烷以及在气态分解的含硅原子团被吸附在硅片的表面2017/5/18 21:19:25 2017/5/18 21:19:25
- ①氢气和硅烷混合气体以合理的流速从入口进入反应室并向出口流动,反应室尺寸OMAPL138BZWTA3远大于气体分子的自由程,主气流区是层流状态,气体有稳定流速。②硅烷从主气流区以扩...[全文]
- 掺杂浓度通过气体流量来控制2017/5/17 21:51:00 2017/5/17 21:51:00
- 快速气相掺杂(RVD)技术是一种以气相掺杂剂方式直接扩散到硅片中,以形成超RT8209BGQW浅结的快速热处理丁艺。在该技术中,掺杂浓度通过气体流量来控制,对于硼掺杂,使用马H6为掺杂剂;对于磷...[全文]
- 注人杂质的深度随注人离子的能量而变化2017/5/17 21:33:52 2017/5/17 21:33:52
- 当栅氧化层厚度一定时,注人杂质的深度随注人离子的能量而变化。离子能RF7320TR7量低时,杂质离子穿不透⒊o2层,阈值电压不变。随着离子能量的增加,通过s02层到达s表面的杂质逐渐增加,AV....[全文]
- 离子注入的其他应用 2017/5/17 21:26:47 2017/5/17 21:26:47
- 离子注入最初是为了改变半导体的导电类型和导电能力而发展起来的技术,随着技RF6028TR13术的发展,它的应用也越来越广泛,尤其在集成电路中的应用发展最快。由于离子注入技术具有很好的可控性和重复...[全文]
- 快速热处理2017/5/17 20:37:40 2017/5/17 20:37:40
- 半导体芯片制作过程中有许多热处理的步骤,如杂质激活、热扩散、金属合金化、氧化生R5F61527FPV长或沉积等。但制作深亚微米特征尺寸的超大规模集成电路,关键要获得极浅的pn结。虽然改变离子注的...[全文]
- 大部分注入的离子不是以替位形式处在晶格点阵位置上2017/5/16 21:19:51 2017/5/16 21:19:51
- 人射离子注人靶时,在其所经过的路径附近区域将产生许多空位、间隙原子和其他形式的晶格畸变。M65840FP由于离子注入形成损伤区和畸变团直接影响半导体材料和微电子产品的特性:增加了散射中心,使载流...[全文]
- 由入射离子产生的损伤分布2017/5/16 21:11:02 2017/5/16 21:11:02
- 由入射离子产生的损伤分布(如图622所示)取决于离子与主体原子的轻重大小。同靶原M62552GP子相比,如果人射的是轻离子,在每次碰撞过程中由于碰撞时转移的能量正比于离子的质量,所以每次与晶格原...[全文]
- 通过1um宽掩膜窗口杂质注人到硅靶中的等浓度曲线2017/5/15 21:38:45 2017/5/15 21:38:45
- 由表61可见,随着注人离子能量的增加,不但分布朝离开表面的深度方向移动,并且横PG905C4向扩展逐渐变大;在注人能量相同的情况下,质量轻的离子,横向分布的扩展大于纵向的扩展,随着离子质量的增加...[全文]
- 注入离子在靶中的分布 2017/5/15 21:32:56 2017/5/15 21:32:56
- 离子注人的杂质分布与扩散不同。如上所述,即使相同能量的离子,其路径和射程也有所不同,PG124S15导致射程分布的统计特征。对一定剂量的离子束,其能量是按概率分布的,所以杂质分布也是按概率分布的...[全文]
- 工艺原理2017/5/14 18:27:27 2017/5/14 18:27:27
- BN源需要活化后使用,日的是在源表面形成一层鸟O3,扩散时在炉管内充满鸟O3气体。活化R3112N271A-TR一般是将硼放人炉管内,通入氧气,扩散温度保持半小时以上,化学反应过程为...[全文]
- 气态源扩散2017/5/14 18:14:58 2017/5/14 18:14:58
- 杂质源为气态(如BCL、戥H6、PH3、AsH3等),稀释后挥发进人扩散系统的扩散掺杂过程称为气态源扩散,R1240N001B-TR-F气态源扩散系统如图517所示。进人扩散炉管内...[全文]
- “踢出”与间隙机制扩散2017/5/13 18:54:02 2017/5/13 18:54:02
- 过去一直认为杂质在硅中的扩散运动只有通过空位机制才能实现。但通过MAX8557ETE大量的研究已经确定间隙机制同空位机制一样,也可促成杂质的扩散运动.而且大多数常用杂质的扩散运动两种机制往往都起...[全文]
- 经过两步扩散之后的杂质最终分布形式2017/5/13 18:38:46 2017/5/13 18:38:46
- 经过两步扩散之后的杂质最终分布形式,将由具体工艺条件决定,为两个扩散过程结果的累加。MAX5900ACEUT+T如果用下标“1Ⅱ表示与预扩散有关的参数,“2”表示与主扩散有关的参数。当D]rl》...[全文]
- 与硅原子半径相差越大的替位杂质2017/5/13 18:23:11 2017/5/13 18:23:11
- Wv指的是晶体中出现一个硅空位所需要的能量,然而在替位杂质近邻出现一个硅空位所需能量要比Wv小些。这是因为杂质原子的大小与硅原子不同,MAX2538ETI-B6A当它们替代晶格上的硅原子之后,就...[全文]
- 初始氧化阶段及薄氧化层制备 2017/5/12 21:31:29 2017/5/12 21:31:29
- 随着MOS器件沟道长度的不断减小,为了抑制短沟道效应,减小亚阈值斜率,同时也为了增大驱动电流、OMAPL138BZWT3提高电路工作速度,必须使MOS晶体管的栅氧化层厚度和沟道长度一起按比例缩小...[全文]
- 二氧化硅的理化性质及用途2017/5/11 22:08:43 2017/5/11 22:08:43
- 二氧化硅的物理化学性质稳定,不溶于KA555DTF水也不跟水反应。其典型的物理性质如下:①石英晶体熔点为1732℃,而非晶态的二氧化硅薄膜无熔点,软化点为1500℃;...[全文]
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