对生长速率有影响的其他因素
发布时间:2017/5/9 21:48:47 访问次数:1041
对生长速率有影响的其他因素
气相质量传递过程的快慢还和外延反应器结构类型、气体流速(流量)等因素有关;而表LD1117SC-R面外延过程还和硅衬底晶向有关,硅衬底晶向对外延生长速率也有一定的影响。因此,影响外延生长速率的因素除了外延温度、硅源种类和反应剂浓度之外,主要还有外延反应器结构类型、气体流速、衬底晶向等。
衬底晶向对外延生长速率的影响是因为不同晶面硅的共价键密度不同,成键能力就存在差别。例如,(111)晶面是双层密排面,两层双层密排面之间共价键密度低,成键能力差,外延层生长速率就慢,而(110)晶面之间的共价键密度大,成键能力强,外延层生长速率就相对较快。
对生长速率有影响的其他因素
气相质量传递过程的快慢还和外延反应器结构类型、气体流速(流量)等因素有关;而表LD1117SC-R面外延过程还和硅衬底晶向有关,硅衬底晶向对外延生长速率也有一定的影响。因此,影响外延生长速率的因素除了外延温度、硅源种类和反应剂浓度之外,主要还有外延反应器结构类型、气体流速、衬底晶向等。
衬底晶向对外延生长速率的影响是因为不同晶面硅的共价键密度不同,成键能力就存在差别。例如,(111)晶面是双层密排面,两层双层密排面之间共价键密度低,成键能力差,外延层生长速率就慢,而(110)晶面之间的共价键密度大,成键能力强,外延层生长速率就相对较快。
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