- 中测 2017/6/4 18:41:09 2017/6/4 18:41:09
- 中测是对已完成前序的晶体管管心的电学性能进行的测试,从中选出合格的管心,进行后工序封装。FGH15T120SMD_F155中测仪器:晶体管特性图示仪和探针台。...[全文]
- 光刻腐蚀发射区 2017/6/4 18:25:41 2017/6/4 18:25:41
- 光刻腐蚀发射区窗口是二次光刻,光刻方法与一次光刻基本相同。注意:曝光前要进行对版。发射区掩蔽膜图形如图A-7所示。思考题:(1)二次光刻与一次光刻有什么...[全文]
- 硼扩散前准备2017/6/3 23:07:49 2017/6/3 23:07:49
- 1.硼源准备BN源片初次使用前,应按照使用说明书进行清洗,活化;再次使用的BN源片还应活化,通常是TAS5706BPAPR在硼扩散温度将其推至扩散炉恒温区,通入氧气1I'/min、...[全文]
- 硼扩散 2017/6/3 23:06:28 2017/6/3 23:06:28
- 在双极型晶体管中,硼扩散的目的是形成集电结和一定杂质分布的基区。硼扩散TAS5704PAP采用固态氮化硼陶瓷源,开管两步式扩散工艺,两步扩散之间漂硼硅玻璃。第一步扩散预淀积,在...[全文]
- 一次氧化前的清洗为什么要采取上述步骤?2017/6/3 22:53:50 2017/6/3 22:53:50
- (1)一次氧化前的清洗为什么要采取上述步骤?去油污所用化学试剂的顺序可否颠倒,为什么?(2)若清洗使用的去离子水的纯度低,会给下TAS3208IPZP步氧化带来什么影响?...[全文]
- 封装类型2017/6/1 20:27:57 2017/6/1 20:27:57
- 从硅片制作出各类芯片开始,微电子封装可以分为3个层次。如图14△所示是微电子封装的3个层次。在这里,硅片和芯片虽然不作为一个封装层次,但却是微电子封装的出发点和核心。在集成PBL3...[全文]
- 微电子测试图形实例2017/6/1 20:22:51 2017/6/1 20:22:51
- 电路约270O0个元件,存储单元用多晶硅做PBL38620/1R1负载,外围电路用耗尽型M(E管做负载,采用标准5um硅栅等平面工艺,芯片尺寸为3.3rruu×4.8m,在7511ull的硅片上...[全文]
- 工艺检测片2017/5/31 21:28:02 2017/5/31 21:28:02
- 工艺检测片,叉叫工艺陪片(简称陪片)。一般使用没有图形的大圆片,安插在所要监控的工序,M29W160EB陪着生产片(正片)一起流水,在该工序完成后取出,通过专用设备对陪片进行测试,提取工艺数据,...[全文]
- 实时监控 2017/5/31 21:25:51 2017/5/31 21:25:51
- 实时监控是指生产过程中通过监控装置对整个工艺线或具体工艺过程进行的实时监控,当监控M28W320CT-90N6装置探测到某一被测条件达到设定阈值时,工艺线或具体工艺设各就自动进行工艺调整,或者报...[全文]
- 双阱CMOS反相器的剖视2017/5/30 12:06:17 2017/5/30 12:06:17
- 1980年出现了带侧墙的漏端轻掺杂结构(LlghtˇDopingDr“n,I'DD),以降低短沟MOSFET的热载流子效应。1982年出现了自对准硅化物(Sdodcd)技术,降低了源漏接触区的接...[全文]
- 工艺集成 2017/5/29 17:04:54 2017/5/29 17:04:54
- 微电子芯片的生产实际上是顺次运用不同的单项I艺.最终在硅片上实现所设计图形和电学结构的过程。ICS557GI-03LFT通常把运用各类T艺技术形成器件和电路结构的制造过程称为I艺集成。在前面各章...[全文]
- ULsI中对光刻技术的基本要求是什么2017/5/29 17:02:12 2017/5/29 17:02:12
- 1,ULsI中对光刻技术的基本要求是什么?2.什么是光刻?光刻系ICS1893AF统的主要指标有哪些?3.简述硅集成电路平面制造工艺流程中常规光刻I序正确的T艺步骤。...[全文]
- 感应耦合式等离子体刻蚀机(ICPR)2017/5/29 16:48:14 2017/5/29 16:48:14
- ICPR的结构如图118所示,在反应器上方有一介电层窗,其上方有螺旋缠绕的线圈,通过此感应线圈在介电层窗下产生等离子体。等离子体产生的位置与晶片之问只有几个平均自由程的距离,故只有少量的等离子体...[全文]
- 分步重复投影光刻机2017/5/27 20:47:41 2017/5/27 20:47:41
- ⒛世纪90年代用于硅片制造的主流精细光刻设备是分步重复投影光刻机(简称步进光刻机,如图1033所示)。M74HC244TTR分步重复投影光刻机有它们独特的名字是囚为这种设各一次只投影一个曝光场(...[全文]
- 移相掩膜的光强分布2017/5/26 21:06:55 2017/5/26 21:06:55
- 如图10-14所示是移相掩膜的光强分布,图中分别给出了常规掩膜和加入移相器后的光强分布。SCDS5D28T-470M-N对于常规掩膜工艺,当掩模板中不透光区域的尺寸小于或接近曝光光线波长时,由于...[全文]
- 光刻胶的特征量2017/5/26 20:43:52 2017/5/26 20:43:52
- 表征光刻胶性质的量有下面几个。1响应波长响应波长是能使光刻胶结构发生变化的光(或射线)的波长。为了提高光学光刻的分辨率,光刻S-1200B33-M5T1G胶在向短波方...[全文]
- 影响溅射率的因素主要有2017/5/22 19:56:54 2017/5/22 19:56:54
- 影响溅射率的因素主要有:①人射离子。包括入射离子的能量、入射角、L78L05ACZ靶原子质量与人射离子质量之比、人射离子种类等。②靶。包括靶原子的原子序数、靶表面原子的结合状态、结晶取向,以及靶...[全文]
- 成膜过程2017/5/21 18:05:16 2017/5/21 18:05:16
- 成膜过程是到达衬底的蒸发原子在衬底表面先成核再成膜的过程。蒸镀工OM5234FBB/538艺中的“镀”字指的就是成膜过程。当蒸气原子飞达衬底与表面碰撞时,或是一直附着在衬底上,或是...[全文]
- CVD-TiN淀积2017/5/20 22:20:23 2017/5/20 22:20:23
- 集成电路制造中使用的TiN薄膜是金属键型薄膜,具有很高的热稳定性(熔点可达2950℃)、低脆性、界面结合强度高、导电性能好(电阻率只有25~75uΩ・cm)等特点。AD9650BC...[全文]
- cⅤD金属及金属化合物薄膜2017/5/20 22:02:15 2017/5/20 22:02:15
- 由于CVD工艺制备的薄膜具有台阶覆盖特性好,工艺温度较低等优点,因此,在集成电路互连系统中使用的金属、ACT8846QM468-T金属硅化物和氮化物薄膜的CN△D工艺也不断开发出来,如CVD钨、...[全文]
公网安备44030402000607
