硅的选择外延技术需要氧化物表面具有高清洁度,外延气体中应含有一定剂量的氯原子(或氯化氢气体分子)。氯原子的存在能提高硅原子的活性, LD39015M15R可以抑制硅原子在气相和二氧化硅表面的成核。通过调节外延气体中s/α的原子比率,可以从非选择性外延生长向选择性外延生长或衬底腐蚀方向变化。若只考虑氯原子,外延气体中的氯源的选择性遵循以下顺序:SiC1,SiHCL,sH2α2,⒏H4。而选择外延工艺采用的掩蔽膜除了二氧化硅之外,还可以采用氮化硅薄膜。

   从晶体生长成核理论来看,硅原子在二氧化硅和氮化硅等掩蔽膜表面上成核比在清洁的硅晶体表面上成核需要更大的过饱和度(指在各表面硅原子浓度高于其饱和浓度的程度)。因为s/si()2或s/弘N砝是异质材料,在界面会产生较大的晶格失配,与同质外延相比其晶核形成能增高,即硅在硅表面上成核比在二氧化硅或氮化硅表面上成核来得容易。即使在二氧化硅或氮化硅掩蔽膜上形成了少量的晶核,由于不稳定,也容易被外延室内的氯化氢气体腐蚀掉。而且,进行外延生长的位置是窗口或是硅表面上的凹陷处,这些位置成核能比平面低。这些就是实现选择外延生长的主要原因。