双极型晶体管芯片制造的主要工艺流程可知,用9个主要单项工艺步骤就能完成晶体管管芯的制造。NAT9914BPD只要缩小每个管芯尺寸,增大硅片面积,不需要增加工艺步骤,完成一次工艺流程制造出的管芯就可以从儿十、几百个增加到成千上万,甚至~L亿个。而且,在一个晶片上的管芯是在完全相同工艺条件下制造出来的,性能一致性好。

   对集成电路芯片而言,也可以通过缩小各单元元件尺寸、增大硅片面积,一次工艺循环就能在一个硅片上制造出成百上千甚至上万个电路芯片。集成电路各单元元件之间的电连接也是在同一工艺

循环中完成的,在一个芯片上就实现了某种电路功能,相对于用多分立元器件搭建的电路,元件之间问距小,没有外部电连接,受环境影响小.有更高的稳定性和可靠性。

   随着集成电路产品的特征尺寸的减小,光刻置艺获得的横向最小尺寸已发展到纳米量级,掺杂、薄膜淀积所获得的纵向最小尺寸在十几纳米量级,而工艺精度更在此之上。因此,集成电路工艺是高可靠、高精度、低成本、适合批量化大生产的加工I艺。

   由于集成电路I艺在微细加工方面具有适合批量化、低成本、高可靠、高精度的优势,它在多个领域被广泛采用。微机电系统(Miclcl Electro Mec隔rllcal Systcms,MEMS)就是在集成电路工艺基础上发展起来的多学科交叉科技领域之一。采用集成电路工艺及硅、非硅微加I技术,将微传感器、微执行器、控制电路等集成在芯片上构成了微机电系统。

   集成电路工艺中的一些关键单项工艺(如光刻、化学气相淀积、分子束外延等)也是纳米技术中由上至下加I技术的重要内容,纳米技术中的一些关键技术是在集成电路工艺基础上发展起来的,如软光刻技术就是在光刻I艺中发展起来的。因此,集成电路工艺是MEMS和纳米技术的基础,对它们的诞生和发展起到了推动作用。