- 常用的方法是大家熟知的RCA清洗2017/11/6 21:17:32 2017/11/6 21:17:32
- 常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美国广播公司)的Kern和Puotincn于1970年发布,S912XDP512J1CAG一直沿用至今。其特点有两步:①标准清洗液1(SC1)...[全文]
- 不定形碳图形化的多晶硅栅刻蚀的前馈控制2017/11/5 17:19:34 2017/11/5 17:19:34
- 图8.58显示的是基于不定形碳掩膜多晶硅栅刻蚀的前馈控制示意图。由于最QT2032A2-ES终栅的CD是一个决定CMOS器件特性的关键参数,它的控制激发r21世纪初期APC的应用。在过去的十年中...[全文]
- 晶边刻蚀和晶边上潜在的缺陷源2017/11/5 17:14:56 2017/11/5 17:14:56
- 如图8,57(a)所示,在晶边刻蚀中,遮挡盘用来实现除去晶边边部分(最大到1mm宽)。QT2022C2遮挡盘比晶圆本身小几个毫米,可以保护晶圆的绝大部分不被刻蚀。图8.57(b)显示的是可能的缺...[全文]
- 硅和锗硅在去胶过程中的损失引起了很大关注2017/11/5 16:55:37 2017/11/5 16:55:37
- 在通用器件开发期闸,硅和锗P89LPC935FA硅在去胶过程中的损失引起了很大关注,这个损失主要是由去胶时衬底的再次氧化造成的。高剂量离子注入去胶,在不会对光刻胶和残余物去除能力有不良影响的前提...[全文]
- 灰化工艺压力对R的影响2017/11/4 11:54:59 2017/11/4 11:54:59
- 图8.41还表明高压(HP)灰化工艺比低压(I'P)I艺得到更为圆弧的形状。图8.42它们相应的R‘性能。M/F39R2低压灰化比高压灰化显示出更为收敛的R‘分布,这个现象是由于压灰化对通孔底部...[全文]
- 变频器可以安装在低压配电盘内2017/11/3 22:14:14 2017/11/3 22:14:14
- 在实际工程应用中，变频器常用于风机、水泵等频繁起停的负载，对于不同容量的负载，变频器的容量、体积、安装、控制方式不同。BLM18EG101TN1在实际应用中，变频器可以安装在低压配...[全文]
- 浅槽隔离(sTI)刻蚀2017/11/2 20:26:16 2017/11/2 20:26:16
- 浅槽隔离Ⅱ用来将构成器件的部件分离丌,在0.18um工艺屮,它已经代替了器件制造巾的I'ΘCOs(硅的局域氧化)隔离技术。在浅槽隔离刻蚀中,M74HC126RM13TR精确地控制浅槽隔离CD、沟...[全文]
- 空问信息的直接模型验证不可避免地导致高维输出2017/11/2 20:05:39 2017/11/2 20:05:39
- 图8.8描述在37mTorr压力下,=种不同的线圈设计时电子温度和O;密度的模拟结果。VP101X12CQC-1一般来说,(汀是光刻胶的主刻蚀剂之一。正离子密度分布取决于沉积功率、压力和反应器的...[全文]
- 光刻胶偏向线2017/11/1 19:33:30 2017/11/1 19:33:30
- 这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:线宽为100nm,O480-VX3WH-LF它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在较大...[全文]
- 正向模型的精确度有赖于大量的试验以及分析2017/11/1 19:30:41 2017/11/1 19:30:41
- 尽管逆光刻有很多优点,我们也看到,它也有一定的局限性:(1)它的作用发挥有赖于精确的正向模型。O19.66080MHZ-JCO-8-3-B(2)正向模型的精确度有赖于...[全文]
- 逆光刻比起传统的“照明条件优化十邻近效应修正2017/11/1 19:27:54 2017/11/1 19:27:54
- (1)它不需要基于先前的对使用照明条件、掩膜版图形优化的经验而制定的规则。它只需要用户给出所有关键地方的图形尺寸规格,以定义代价函数。O1.5440-VX3MH-LF(2)它不需要...[全文]
- 电容器按结构不同分为三类2017/10/28 10:29:58 2017/10/28 10:29:58
- 电容器种类很多,有多种分类方法,分别如下。(1)按结构不同分类。电容器R060047300按结构不同分为三类,即固定电容器、可变电容器、半可变(微调)电容器。(2)按...[全文]
- 色标法也称为色环标注法2017/10/28 10:25:38 2017/10/28 10:25:38
- 色标法也称为色环标注法,是用不同颜色的色环把电阻器的参数(标称阻值和允许误差)直接标注在电阻器表面上的一种方法。小功率电阻器尤其是0.5W以下的碳膜和金属膜电阻器大多数使用色标法。...[全文]
- 对准、套刻精度2017/10/28 10:14:50 2017/10/28 10:14:50
- 对准(a1ignment)指的是层与层之间的套准。一般来讲,层与层之间的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片关键尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在这里将讨论以下几个方面:套...[全文]
- 设计一个窗口比较电路2017/10/27 21:21:13 2017/10/27 21:21:13
- 通过实验,学习窗口比较器的设计方法,体会调试方法在电路设计中的重要性,掌握窗口比较器的设计思想。设计题目Z8FMC04100AKSG设计一个窗口比较电路,要求:...[全文]
- 输入电阻的测量方法2017/10/27 21:19:46 2017/10/27 21:19:46
- 场效应管放大器的静态工作点、电压放大倍数和输出电阻的测量方法,与实验Z8FMC04100AKEG二中晶体管放大器的测量方法相同。其输人电阻的测量,从原理上讲,也可采用实验二中所用的方法,但由于场...[全文]
- 其他改善线宽均匀性的方法2017/10/26 21:24:14 2017/10/26 21:24:14
- 改进光刻机的狭缝照明均匀性、像差、焦距及找平控制、平台同精度以及温度控制精度;SC1004CS改进掩膜版线宽的均匀性;改善衬底,减小衬底对光刻的影响(包括增加对焦深度,改进抗反射层)等。其中,4...[全文]
- 其他改善线宽均匀性的方法2017/10/26 21:24:13 2017/10/26 21:24:13
- 改进光刻机的狭缝照明均匀性、像差、焦距及找平控制、平台同精度以及温度控制精度;SC1004CS改进掩膜版线宽的均匀性;改善衬底,减小衬底对光刻的影响(包括增加对焦深度,改进抗反射层)等。其中,4...[全文]
- 光刻胶垂直方向的形貌也发生变化2017/10/25 21:23:42 2017/10/25 21:23:42
- 图7.13(a)中,灰色的图形代表光刻胶(正性光刻胶)经过曝光和显影后的横断面形貌。TA7508随着曝光能量的不断增加,线宽变得越来越小。随着焦距的变化,光刻胶垂直方向的形貌也发生变化。先讨论随...[全文]
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