氧化硅的湿法刻蚀,最常用 S912XEP100J5MAL的刻蚀剂氢氟酸溶液,它是借助氢氟酸与氧化硅反应,乍成气体四氟化硅(Si「i)或氟硅酸(H2siFⅡ),对于前段、中段制程用到的氧化硅,低浓度HF溶液的刻蚀率基本L是线性,只是CVD膜层受离子植人影响会有点变化,不过退火以后的膜层都较稳定;而后端制程用到的CVD形成的黑钻石膜(BD)、氮植人碳化硅膜(NI)C)、:±5nm以下的多孔低虑膜则明显不同,BI)和低乃大多含有C,HF溶液,刻蚀率不稳定,为非线性,NDC则更难,膜层含有si、O、C和N,不单为非线性,HF溶液刻蚀率也很低。对于各种氧化硅膜层的挡控片的凵收.常用49%的氢氟酸(HF)处理。

   研究表明,前段CⅥ)氧化硅随着离子植人量的增加,对稀释的HF刻蚀率不断增加;而随着离子植人能量的增加,氧化硅对稀释的HF刻蚀率减小。受离子轰击后的氧化硅.相对于没有轰击的氧化硅,有比较高的刻蚀率,但这种品片经过低温热退火(大于7O0℃),氧化硅对稀释的H「刻蚀率叉恢复到没有离子轰击的氧化硅一样值。这种现象可以解释为氧化硅经过离子植人后,si-O键被打断,这样的悬键有极强的反应性,容易与HF反映,因此,离子植人后的氧化硅有高的刻蚀率。经过热退火,s一和Θ自勺断键叉得到恢复(S←O),所以刻蚀率跟最初氧化硅一样。离子植人量越大,Si和(≯的断键也越多,氧化碚刻蚀率就高。当离子植人能量较低时,Si一和O自勺断键接近氧化硅表面,显示高的刻蚀率;当离子植人能量较高时,si-和O一的断键钻入氧化硅深层.lFl表面断键较少.显示低的刻蚀率。