与具有压缩薄膜应力的HDP不同,空白片沉积的HARP薄膜具有拉伸应力,经过高温退火后, K4H511638J-LCCC应力由拉伸转为压缩(见图4,23)。但是对于图形化的硅片,AMAJ3]通过测定图 形化后硅片的弯曲程度,分别得到薄膜沉积后,退火后以及化学机械抛光后的硅片所受应力状态,如图4.24所示。沉积后与退火后结果与空白片结果类似,但是机械抛光后HDP会产生一个非常高的压应力,但是HARP会对有源区产生拉应力,而且退火温度也会对拉应力大小产生影响。

   由HARP STI引起的拉伸应变可能是由两方面的原因造成的。对该应力的回滞研究(见图4,23)表明当退火温度上升时,HARP薄膜应力将变得更加抗延伸,这将给活性⒏带来拉伸应变:即使冷却后HARP薄膜压缩在一起时,这种张力应变仍然被记忆并保留在⒏中。其次,HARP薄膜将在退火后收缩,但HDP薄膜不会。退火后HARP薄膜被限制在沟槽中进行收缩,为⒏提供了另一种强大的拉伸应变,这也进一步增强了NFET和PFET的载流子移动性,尤其是窄宽度晶体管器件[3」。这也是采用HARP代替HDP的另一优势。