常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美国广播公司)的Kern和Puotincn于1970年发布,S912XDP512J1CAG一直沿用至今。其特点有两步:①标准清洗液1(SC1)清洗,是氨水、双氧水和水的混合物,主要去除有机物膜污染、金属(如金Au,银Ag,铜Cu,镍Ni,镉Cd,汞Hg等)、颗粒。②标准清洗液2(SC2)清洗,是盐酸、双氧水和水的混合物,功能是去除无机物、一些碱金属和重金属:l1。

   虽然RCA清洗很有效,但由于新制程的特殊需求,还需加入新的内容和不同处理组合,以达成不同的需求。常用的有序组合有:①单独使用RCA清洗;②硫酸双氧水混合物(SPM)~)稀释氢氟酸(DHF)―>RCA清洗;③硫酸双氧水混合物(SPM)―)RCA清洗等。详解如下:

   (1)有机物污染的去除(SPM):普遍使用的去除剂是sPM(98%H2s01和31%H'02的混合物),也叫Piranha dean,比例(2~8):l,温度120~280℃.对有机物一般有很强的去除能力。由于SPM黏度较大,冷水冲洗效率低,处理后常用热水(60~80℃)冲洗。

   (2)氧化硅膜去除(稀HF):多用于硅晶片清洗。制程第一步SPM去除有机物后,晶片由于高温sPM的强氧化作用,表面会生成一层氧化膜;第二步氧化硅膜去除起初使用高浓度HF去除,如HF:H20比例为1:10、卜50或1:100。现今普遍使用更稀的HF,如HF:H20比例为1:200、卜300或1:1000以上。溶液温度为室温。氧化硅膜随着稀HF的溶解,颗粒和离子污染一并去除,这时的硅表面非常洁净,只有S←H键,ml且表面是疏水性。这样的表面有很强的活性和不稳定性,易吸附污染(颗粒、金属)和被氧化。囚此,对于H,last的表面处理,首先要快速进人下一道制程,控制两道制程间的时间(Q time);或者把晶片盒存放在氮气柜里或超净环境加以保护。