- 光刻的基本方法2017/10/24 20:35:24 2017/10/24 20:35:24
- 尽管存在一些相似性,集成电路XC1765DPD8C中的光刻技术使用光而不是墨水P有墨水和没有墨水的池方也变戍了在掩膜版上有光和没有光的地方。在集成电路制造业中,hthography也此被叫做Ph...[全文]
- 退火装置(N()VELLUS公司提供)2017/10/24 20:15:19 2017/10/24 20:15:19
- 电镀之后的铜晶粒非常小,通常小于0.1um,此时铜膜的电阻率比较高。XC17512LSO20C而且,在室温条件下,铜晶粒会在白退火(selfanneal)效应下逐渐长大E25]。化学机械研磨速率...[全文]
- 电镀设备主要包括电镀槽(cell)和镀液的自动控制调整系统两个部分2017/10/24 20:05:07 2017/10/24 20:05:07
- 电镀设备主要包括电镀槽(cell)和镀液的自动控制调整系统两个部分。电镀槽XC17512LPC20C的结构如图6,34所示,主要包括电镀头(clamshe11)、阴极电镀槽、阳离子扩散膜(cat...[全文]
- 在退火作用下在铜合金和氧化硅界雨形成具有阻挡性能的氧化物2017/10/24 19:58:43 2017/10/24 19:58:43
- 不断缩小互连线的线宽,互连线的稳定性对种子层沉积带来的挑战越来越大。工程师XC17512LJC和研究人员一方面通过对T艺和设备的优化,不断追求薄膜性质以及阶梯覆盖的最优化,另外一个方面也在探索新...[全文]
- SiCoNi是一种高选择性的预清洁方式2017/10/22 11:37:34 2017/10/22 11:37:34
- SiCoNi是一种高选择性的预清洁方式,⒊O2:⒏>9o:1,Sio2:S1N4)5:1。TC74LCX32FT图6.9为siCoNi反应腔的结构,主要包括rem。teplasma发生器、...[全文]
- k为2.5的超低介电常数材料2017/10/21 12:43:04 2017/10/21 12:43:04
- 低介电常数层间绝缘膜(低乃材料)的用途为减小布线间的电容。布线问的电容与绝缘膜的相对介电常数和布线的横截面积成正比,与布线间隔成反比。K4S2816320-LC75伴随加工技术的微细化,布线横截...[全文]
- sACVD的应力2017/10/21 12:34:37 2017/10/21 12:34:37
- 与具有压缩薄膜应力的HDP不同,空白片沉积的HARP薄膜具有拉伸应力,经过高温退火后,K4H511638J-LCCC应力由拉伸转为压缩(见图4,23)。但是对于图形化的硅片,AMAJ3]通过测定...[全文]
- 正向阻断峰值电压yPF为在控制极开路未加触发信号2017/10/20 21:34:59 2017/10/20 21:34:59
- 正向阻断峰值电压yPF为在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导通电压时,NC7S00P5X可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。晶间管承受的正向电压峰值不能超过手册给出的这个参数值。...[全文]
- 硅片有多个特征参量2017/10/20 21:07:11 2017/10/20 21:07:11
- 硅片有多个特征参量,如晶向、掺杂类N25Q128A13BSF40G型、杂质浓度(或电阻率)等,可以按照其中一个参量来划分硅片,如按照掺杂浓度划分硅片。本征硅理论上的电阻率可以达到20kΩ...[全文]
- 检查中频电源整流器输人端三相电源是否正常,2017/10/19 22:27:39 2017/10/19 22:27:39
- 故障现象:中频电RDC19222-203源控制电源打开后,按启动按钮,中频电源无反应,中频电源控制柜上的整流脉冲电压表、电流表均无指示。故障分析及处理:产生此故障的原因及处理方法如下。...[全文]
- 再将功率电位器调到最大值2017/10/19 22:18:55 2017/10/19 22:18:55
- 若正常,则进行过流负偏置调整,过流负偏置调整的方法如下。(1)将直流输出电压调节为1/2额定电压,调整过电流保护旋钮,使过电流保护装置动作。RC5037M此时的电压应该为负值,即用...[全文]
- 检测6个整流电流波形高度、宽度是否一致2017/10/19 22:17:23 2017/10/19 22:17:23
- (1)晶闸管ⅤT1~Ⅴ%控制极断线或短路,或由触发电路故障引起的脉冲丢失。RC4559M(2)触发电路输出功率不够。(3)脉冲变压器极性接反了,输出负脉...[全文]
- 电介质薄膜沉积工艺 2017/10/17 21:50:21 2017/10/17 21:50:21
- 电介质在集成电路中主要提供器件、栅极和金属互连间的绝缘,选择的材料主要是氧化硅和氮化硅等,沉积方法主要是化学气相沉积(CVD)。TAR5SB33随着技术节点的不断演进,目前主流产品已经进人65/...[全文]
- 电介质薄膜沉积工艺 2017/10/17 21:50:21 2017/10/17 21:50:21
- 电介质在集成电路中主要提供器件、栅极和金属互连间的绝缘,选择的材料主要是氧化硅和氮化硅等,沉积方法主要是化学气相沉积(CVD)。TAR5SB33随着技术节点的不断演进,目前主流产品已经进人65/...[全文]
- 保证多层板具有正确的层叠设置和阻抗控制2017/10/16 21:02:39 2017/10/16 21:02:39
- 在设计PCB布线时,消除磁通量的方法如下。RCLAMP0522T.TCT(1)保证多层板具有正确的层叠设置和阻抗控制。(2)将时钟走线走在返回通路接地平面(多层PCB...[全文]
- 薄膜的均匀性就好2017/10/15 18:09:14 2017/10/15 18:09:14
- 由反应式可知,在⒊O2薄膜中会含有水汽,因而针孔密度较高,通常需要高温退火去除潮气,提高薄膜致密度。PIC16C505-04I/SL进行退火,对本工艺方法来说也就增加了能耗cAPC`0用TEOS...[全文]
- 简化的圆柱体全包围栅无结场效应管器件结构2017/10/12 20:50:35 2017/10/12 20:50:35
- 为克服由PN结或肖特基结所构成器件在纳米尺度所面临的难以逾越的障碍,2005年,PAM2307中芯国际的肖德元等人首次提出一种圆柱体全包围栅无结场效应晶体管(GateAllAroundCylin...[全文]
- 万用表欧姆挡的选择2017/10/8 19:49:30 2017/10/8 19:49:30
- 具体方法如下。QX5305(1)万用表欧姆挡的选择。选择R×1k或R×100k挡(应先调零)。(2)万用表的连接方法。对于一般的电容器,万用表的表笔可任意接电容器的两...[全文]
- BH函数定义2017/10/7 10:40:12 2017/10/7 10:40:12
- 对话框2SK3078左侧列出已经定义过的BH曲线;右侧可以对BH函数进行建立Add、数据列表List、曲线显示View、编辑Edit或者删除Delete等操作。这里添加一个新的BH曲线,先在Ne...[全文]
- Opera3D软件有限元建模2017/10/7 9:40:42 2017/10/7 9:40:42
- 与大多数P6KE100A有限元分析软件类似,Opera3D对物理问题建立几何模型,进行有限网格划分,设置材料参数及边界条件,设定分析模块,再进行解算,最后对计算结果进行后处理。下面先简要介绍Op...[全文]
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