光刻胶偏向线
发布时间:2017/11/1 19:33:30 访问次数:392
这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:线宽为100nm, O480-VX3WH-LF它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在较大槽宽的地方:90nmc冉看第二列:槽宽为100nm,它随着线宽的增加而减小(表中列出的现款数据.槽宽=L+S一线宽),到达一定的线宽(如300nm),槽便不能够被分辨(Mcrge)。但是,随着槽宽变宽,第工、四、五列,槽Merge的情况逐渐好转。所以我们不禁要问?为什么线与槽不对等?这是闪为:
(1)光刻胶偏向线,也就是光刻胶是为孤立以及半孤立的线条优化的。
(2)系统使用了透射衰减掩膜版,它对线条的对比度增加有很大帮助,不过,相移层的存在对相对孤立的槽的I艺窗口有很大损伤。
(3)掩膜版上使用了正向的线宽偏置,使得系统需要有一点过度曝光来充分发挥偏向线的光刻胶的性能,而槽的光刻胶通常喜欢曝光不足。那么,有没有对线、槽都平等对待的光刻胶?回答是:理论上能够,但是实际屮很难制造。比如,对线的光刻胶,对光线不能做得太灵敏,否则,孤立的线条就会被过度曝光而大大缩小线宽,甚至发生图形倒塌。如果曝光不过度,会使得在光刻胶边缘产生残留;同理,对槽的光刻胶必须做得很灵敏,否则对于孤立的槽或者接触孔,无法形成足够的曝光,造成图形打不开。
这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:线宽为100nm, O480-VX3WH-LF它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在较大槽宽的地方:90nmc冉看第二列:槽宽为100nm,它随着线宽的增加而减小(表中列出的现款数据.槽宽=L+S一线宽),到达一定的线宽(如300nm),槽便不能够被分辨(Mcrge)。但是,随着槽宽变宽,第工、四、五列,槽Merge的情况逐渐好转。所以我们不禁要问?为什么线与槽不对等?这是闪为:
(1)光刻胶偏向线,也就是光刻胶是为孤立以及半孤立的线条优化的。
(2)系统使用了透射衰减掩膜版,它对线条的对比度增加有很大帮助,不过,相移层的存在对相对孤立的槽的I艺窗口有很大损伤。
(3)掩膜版上使用了正向的线宽偏置,使得系统需要有一点过度曝光来充分发挥偏向线的光刻胶的性能,而槽的光刻胶通常喜欢曝光不足。那么,有没有对线、槽都平等对待的光刻胶?回答是:理论上能够,但是实际屮很难制造。比如,对线的光刻胶,对光线不能做得太灵敏,否则,孤立的线条就会被过度曝光而大大缩小线宽,甚至发生图形倒塌。如果曝光不过度,会使得在光刻胶边缘产生残留;同理,对槽的光刻胶必须做得很灵敏,否则对于孤立的槽或者接触孔,无法形成足够的曝光,造成图形打不开。
上一篇:光学邻近效应修正
上一篇:三种二重图形技术的优点和缺点对比