在通用器件开发期闸,硅和锗P89LPC935FA硅在去胶过程中的损失引起了很大关注,这个损失主要是由去胶时衬底的再次氧化造成的。高剂量离子注入去胶,在不会对光刻胶和残余物去除能力有不良影响的前提下,必须考虑硅或者锗硅衬底的再次氧化问题。此外,灰化气体比率对⒏N偏差间隔CD的影响也不容忽视。具体地说,衬底再次氧化行为高度依赖于各种灰化I艺参数,如压力、气体比率、晶圆支撑销的位置、在去壳层和过灰化(C)A)步骤中所用的工艺时间。通常,预热中的高压和主灰化步骤的低压可以有效地预示硅/锗硅的损失。较低的02/发泡气体的比率,对NMOS和PM()S的衬底展现出不同的影响。少的过灰化时间得到更好的残余物去除表现。在02/发泡气体灰化工艺中,当02/发泡气体的比率升高时,偏置间隔的CD继续收缩,这可以归囚于siN损失。优化的去胶方案可以得到不仅是无残余物的I艺,而且衬底损失最小。它的好处是由NMC)S和PMOS器件的性能改善所体现的。在32nmェ艺中,为了减少硅的损失,H2基的灰化工艺一直在评估中。