硅的湿法刻蚀包括单晶硅刻蚀和多晶硅(Poly Si)刻蚀,所用的化学品有碱性和酸性。S912XEP100J5CAG

   最常用的酸性氧化刻蚀液是硝酸(HN()Ⅱ)和氢氟酸(HF)的混合物,一般Poly Si的挡控片的回收。常用这种刻蚀液L盯。混合液分解出的NO2,把接触的硅氧化成二氧化硅.

   酸性较HF强,使用时酸槽pH值可能会升高;在缓冲刻蚀液中,超过2/的氟硅酸铵,会出现沉淀。硅的碱性刻蚀液如氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液等。晶片加△中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理是SC1中的NH10H刻蚀硅,硅的均匀剥离,同时带走表面颗粒。在H?02浓度一定时,NH10H对Si的刻蚀率呈线性增长,并达到一个饱和值,这个饱和值也与HP02成比例;另外刻蚀率稳定时,硅表面粗糙度随着NHlOH浓度升高而变差L21。随着器件尺寸缩减会引人很多新材料(如高介电常数和金属栅极),那么在后栅极制程,多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,制程关键是控制溶液的温度和浓度,以调整刻蚀对多晶硅和其他材料的选择比。