- 三相桥式整流器的建模2019/7/19 21:15:40 2019/7/19 21:15:40
- 三相桥式整流器的建模H57V1262GFR-50I①建立一个新的模型窗口,命名为SQZL。单相全控桥式整流器,电阻性负载,控制角60°时的仿真结果...[全文]
- 逆变失败与最小逆变角的限制2019/7/19 20:58:53 2019/7/19 20:58:53
- 逆变失败与最小逆变角的限制可控整流器在逆变运行时,一旦发生换相失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,H55S5122DFP-60M或者使可控整流器的输出平均...[全文]
- 触发电路的定相2019/7/18 21:57:07 2019/7/18 21:57:07
- 触发电路的定相在三相晶闸管整流装M25P05-AVMN100P中,选择触发电路的同步信号是一个很重要的问题。在常用的锯齿波移相触发电路中,送出初始脉冲的时刻是由触发电路中的同步电压...[全文]
- 集成触发电路2019/7/18 21:52:25 2019/7/18 21:52:25
- 集成触发电路LM2576SX-5.0集成电路具有可靠性高、技术性能好、体积小、功耗低、调试方便等优点。目前集成触发电路已广泛应用,逐步取代分立元件电路。目前国内生产的有KJ系列和K...[全文]
- 电感性负载2019/7/18 21:21:39 2019/7/18 21:21:39
- 电感性负载当α≤60°时,电感性负载的I作情况与电阻性负载时十分相似,各晶闸管的通断情况、IRF1902UTRPBF输出整流电压f/d波形、晶闸管承受的电压波形等都一...[全文]
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的仿真模型2019/7/17 21:30:26 2019/7/17 21:30:26
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的仿真模型(1)IGBT的图标、符号和仿真模型H55S1G22MFP-60MIGBT是一个受门极信号控制的半导体器件,它由一个电阻R、一...[全文]
- 电力系统(Power system)工具箱2019/7/17 21:12:47 2019/7/17 21:12:47
- 电力系统(Powersystem)工具箱在MATI'AB命令窗口中输入【powerlib1命令,则弹出如图⒈57所示△具箱界面。H55S1222EFP-A3E...[全文]
- 集成驱动电路2019/7/16 21:43:31 2019/7/16 21:43:31
- 集成驱动电路电力电子器件的集成驱动电路由于具有和电力电子器件匹配好,具有过流保护功能而得到广泛的应用。NT5TU64M16GG-ACGTO的集成驱动可采用HL301A...[全文]
- 绝缘栅双极型晶体管的特性2019/7/16 21:05:45 2019/7/16 21:05:45
- 绝缘栅双极型晶体管的特性(1)伏安特性NL17SZ14DFT2GIGBT的伏安特性是指以栅射电压UGE作为参变量时集电极电流Ⅰc和集射电压L「tsE之间的关系曲线,也...[全文]
- 功率场效应晶体管的主要参数2019/7/15 21:13:31 2019/7/15 21:13:31
- 功率场效应晶体管的主要参数①漏源击穿电压BLIus该电压决定了功率M(BFET的最高工作电压,限制了器件的电压和功率处理能力,这是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数...[全文]
- 为了降低MOSFET的开关时间,必须减小栅漏电容2019/7/15 21:11:33 2019/7/15 21:11:33
- 为了降低MOSFET的开关时间,必须减小栅漏电容。由于MOSFET只靠多数载流子导电,不存在存储效应,因此开关过程比较快。功率M(BFET的开关时间在10~100之间,是常用电力电...[全文]
- 功率场效应晶体管的工作原理2019/7/15 21:04:28 2019/7/15 21:04:28
- 功率场效应晶体管的工作原理当栅源电压UG~s=0时,漏极下的P型区表面呈现空穴的堆积状态,不可能出现反型层,无法沟通漏源极。L6920DBTR此时即使在漏源极之间施加电压,也不会形...[全文]
- 可关断晶闸管的特性2019/7/15 20:39:43 2019/7/15 20:39:43
- 可关断晶闸管的特性(l)伏安特性EUP3010JIR1GTO的伏安特性如图⒈17(b)所示。当外加电压超过正向转折电压U即时,GTO即正向导通,这种现象称为电压触发。...[全文]
- 晶闸管的特性2019/7/14 19:02:39 2019/7/14 19:02:39
- 晶闸管的特性(1)伏安特性晶间管的伏安特性是晶闸管阳极与阴极间电压LJ.wx和晶间管阳极电流IA之间的关系特性。LDS3985M28R晶闸管的伏安特性如图⒈6所示,其...[全文]
- 晶闸管及派生器件2019/7/14 18:54:52 2019/7/14 18:54:52
- 晶闸管及派生器件晶闸管(Thy。stor)就是硅晶体闸流管,普通晶闸管也称为可控硅整流器(SillkonCon-trolledRectⅡer,SCR)。普通晶闸管是一种具有开关作用...[全文]
- 功率二极管的特性2019/7/14 18:49:47 2019/7/14 18:49:47
- 功率二极管的特性伏安特性LD3985M27R功率二极管的伏安特性如图⒈2所示,二极管具有单向导电能力,二极管正向导电时必须克服一定的门槛电压Uth(叉称死区电压),当...[全文]
- 在交、直流电源中的应用2019/7/14 18:40:37 2019/7/14 18:40:37
- 在交、直流电源中的应用大功率直流电源在电解和电镀设备中被广泛使用。近年来,整流焊机由于采用高频逆变,LD1117S50TR体积和质量都有明显减小,既节能,又便于使用。...[全文]
- 按照内部载流子的工作性质分类2019/7/14 18:30:26 2019/7/14 18:30:26
- 按照内部载流子的工作性质分类①单极型器件:导通时只有空穴或电子一种载流子导电的器件,属于单极型器件的有功率场效应晶体管。该类器件的特点是工作频率高、导通压降较大,单个器件容量较小。...[全文]
- 一个设计良好的接地系统2019/7/11 21:22:15 2019/7/11 21:22:15
- 当设计一个产品时,在设计期间就考虑到接地是最经济的办法。一个设计良好的接地系统,不仅能从PCB,而且能从系统的角度防止辐射和进行敏感度防护。JANTX1N4963在设计阶段,若没有认真考虑接地系...[全文]
- 屏蔽设计往往与搭接联系在一起2019/7/11 21:18:29 2019/7/11 21:18:29
- 屏蔽设计往往与搭接联系在一起。搭接是在两金属表面之间构造一个低阻抗的电气连接。当两边的结构体不能完成很好的搭接时,通常需要通过密封衬垫来弥补。FQB5N90这些密封衬垫包括导电橡胶、金属丝网条、...[全文]
公网安备44030402000607
