功率场效应晶体管的主要参数

   ①漏源击穿电压BLIus

   该电压决定了功率M(BFET的最高工作电压,限制了器件的电压和功率处理能力,这是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。B哧:的大小取决于漏极PN结的雪崩击穿结构和栅极对沟道、漏区间反偏结耗尽层电场分布的影响,以及器件各部分表面的电场分布效应等因素。 LAN8700-AEZG

   ②栅源击穿电压BL1s

   该电压表征了功率MOsFET栅源之间能承受的最高电压,是为了防止栅源电压过高而发生电击穿的参数。

   ③漏极最大电流rE,M

   该电流表征功率MOSFET的电流容量,确定MOSFET电流定额的方法和功率晶体管不同。功率场效应晶体管的集电极电流过大时,电流放大系数迅速下降,它的下降程度限制了集电极电流的最大允许值。MOSFET的跨导gm则与之不同,随漏极电流的增大而增大,直至达到稳定值。

   ④开启电压LJαtv

   Uα⑾又称阈值电压,是指功率MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。当栅源电压等于开启电压时,功率MOSFET开始导通。在转换特性上,L厂α⑾为转移特性曲线与横坐标的交点,其值的大小与耗尽层的正向电荷量有关。

   ⑤通态电阻R∞

   通态电阻R∞是指在确定的栅源电压u冷下,功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻。它与输出特性密切相关,是影响最大输出功率的重要参数,R∞的大小与栅源电压有很大的关系。

   ⑥极间电容

   功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类:一类为C溢和C∞,它们由MOs结构的绝缘层形成,其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定;另一类是C凼,它由PN结构成,其数值的大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。一般生产厂家提供的是漏源短路时的输人电容Ci、共源极输出电容G皿及反馈电容Cf,它们与各极间电容关系表达式为显然,Ci,G哎和Cf均与漏源电容0.D有关。