- 差模传导性抗扰度测试原理非常简单2019/7/11 21:12:33 2019/7/11 21:12:33
- 在EMC的相关测试标准中,低频的传导性抗扰度测试通常以差模为主,如国军标GJB152A中规定的CS101、CS106测试,IEC61000-4-5标准规定的线对线浪涌测试,FQB4N80以及FQ...[全文]
- 信号是通过电磁波传输到空间中的2019/7/11 20:46:26 2019/7/11 20:46:26
- 天线具有两种转换的功能:转换电磁波为电路可以使用的电压和电流,转换电压和电流为发射到空间的电磁波。FDU8896信号是通过电磁波传输到空间中的,电磁波由分别用Ⅴ/m和A/m来度量的电场和磁场构成...[全文]
- 在电子学中电子元器件的概念是以电原理来界定的2019/7/10 22:11:33 2019/7/10 22:11:33
- 在电子学中电子元器件的概念是以电原理来界定的,即能够对电信号(电流或电压)进行控制的基本单元。因此,只有电真空器件(以电子管为代表)、半导体器件和由基本半导体器件构成的各种集成电路才称为电子元器...[全文]
- 基于可生物降解的纤维素纳米纤丝纸张的高效绿色柔性电子器件2019/7/10 22:09:26 2019/7/10 22:09:26
- 基于可生物降解的纤维素纳米纤丝纸张的高效绿色柔性电子器件电子产品,如手机、计算机等一般都是基于不可再生、不可生物降解甚至是有毒材料制成的。H5PS5162FFR-Y5C这些消费电子...[全文]
- 化学稳定性2019/7/10 21:53:29 2019/7/10 21:53:29
- 化学稳定性陶瓷材料的化学稳定性是表征其各种化学试剂耐侵蚀的能力。耐酸性试剂侵蚀的能力称为耐酸性,H5PS5162FFR-G7C耐碱性试剂侵蚀的能力称为耐碱性。测试时,...[全文]
- 旋磁材料的测试2019/7/10 21:49:56 2019/7/10 21:49:56
- 旋磁材料的测试饱和磁化强度是旋磁材料的特征参数,是指磁性材料在外加磁场中被磁化上所能达到的最大磁化强度。H5PS5162FFR-25C在各种微波应用器件中,饱和磁化强...[全文]
- 磁场强度的测量可用磁场探测器配合相应的仪器来进行2019/7/10 21:48:11 2019/7/10 21:48:11
- 磁场强度的测量可用磁场探测器配合相应的仪器来进行,只有当试样表面的磁场强度矢量平行于试样侧面时,在试样表面直接测得的磁场强度才等于试样内部的磁场强度,H5PS5162FFR-25C所以测试时,磁...[全文]
- 永磁材料的测试2019/7/10 21:46:38 2019/7/10 21:46:38
- 永磁材料的测试1.磁性材料表面磁场均匀性测试磁场均匀性,表示磁场材料的磁场均匀程度对于磁性材料均匀性的测试,一般要采用霍尔效应磁强计测量其表面磁场强度,再通过X-Y函...[全文]
- 碳化硅材料的测试2019/7/9 20:38:43 2019/7/9 20:38:43
- 碳化硅材料的测试碳化硅晶体有多种晶型,为确定碳化硅晶型,一般采用激光Raman光谱法检验碳化硅晶型。K4B2G0846B-HYF7当光照到晶体上,晶体中的电子将被极化并产生感应点偶...[全文]
- 引线电阻2019/7/9 20:35:58 2019/7/9 20:35:58
- 引线电阻外壳的引线电阻测试一般规定按GJB3ωB⒛09《电子及电气元件试验方法》中方法进行,使用电阻电桥法或其他适用的测试仪器及测试方法进行。K4B2...[全文]
- 绝缘电阻2019/7/9 20:30:38 2019/7/9 20:30:38
- 绝缘电阻外壳绝缘电阻的测试是测量会使其表面或内部产生漏电流的各个绝缘部分间的电阻值。K4B2G0446C-HCH9绝缘电阻的测试方法一般规定按GJB548B~⒛05《...[全文]
- 半导体材料2019/7/9 20:27:01 2019/7/9 20:27:01
- 半导体材料半导体材料的测试标准主要规定了半导体材料晶体结构、物理尺寸、K4B1G164GG-BCH9电学性能的测试等,包括从测试参数定义、测试方法的介绍、测试前的制样、测试数据的处...[全文]
- 外壳绝缘电阻失效2019/7/9 20:17:22 2019/7/9 20:17:22
- 外壳绝缘电阻失效(l)在初测时,绝缘电阻不合格出现得很少,如果出现,则是厂家对产品的生产过程没有严格监控好。K4B1G1646G-BCK0其原因可能是产品材料的绝缘性能不好,达不到...[全文]
- 半导体分立器件外壳通用规范2019/7/9 20:13:12 2019/7/9 20:13:12
- 《半导体分立器件外壳通用规范》的改版过程,相比老版,GJB呢3A增加测镀金质量、镀镍质量的测试方法,这更能体现半导体分立器件封装外壳镀层质量测试的特殊性。K4B1G1646G-BCH9增加了引线...[全文]
- 半导体材料2019/7/9 20:07:14 2019/7/9 20:07:14
- 半导体材料半导体材料按组成可分为元素半导体和化合物半导体。K4B1G1646E-HCH9其中半导体材料应用较为广泛的包括元素半导体硅、锗、Ⅲ-V族化合物半导体(砷化镓、磷化铟、氮化...[全文]
- 介质耐电压2019/7/9 20:05:15 2019/7/9 20:05:15
- 介质耐电压介质耐电压试验是指在规定时间内,在元器件的绝缘部件之间或绝缘部件与地之间施加规定的试验电压,以考核元器件在此电压下的耐受能力。K4B1G1646E-HCH9为保证元器件在...[全文]
- 测试技术发展趋势2019/7/8 21:31:36 2019/7/8 21:31:36
- 测试技术发展趋势传感器技术经历了传统、现代、智能三个发展时代,目前趋于多技术间融合,和测量、电子、物理、光、机械等学科紧密相关,并会一直向其他多种学科方向延伸。传感器向小型化、集成...[全文]
- 电压驻波比测试方法2019/7/8 21:27:47 2019/7/8 21:27:47
- 电压驻波比测试方法在规定条件下,测试滤波器的电压驻波比,如图12-16所示。在测试前输入如下测试条件,具体数值参考相关规范的要求:(1)起始频率和终止频...[全文]
公网安备44030402000607
