功率场效应晶体管的工作原理

   当栅源电压UG~s=0时,漏极下的P型区表面呈现空穴的堆积状态,不可能出现反型层,无法沟通漏源极。L6920DBTR此时即使在漏源极之间施加电压,也不会形成P区内载流子的移动,即VDMOS管保持断态。把这种正常关断型的MOsFET称为增强型MOSFET。当栅源电压U“>0且不够充分时,栅极下面的P型区表面呈现耗尽状态,还是无法沟通漏源极,此时VDMOS管仍保持断态。当栅源电压urs达到或超过ux⒆时,栅极下面的硅的表面从P型反型成N型;形成N型表面层,并把源区和漏区联系起来,从而把漏源极沟通,使VDMOS管进人通态。通常把导电的反型层称为沟道。此时,漏源极之间施加电压,电子从源极通过沟道移动到漏极,形成漏极电流rD。