为了降低MOSFET的开关时间,必须减小栅漏电容。由于MOSFET只靠多数载流子导电,不存在存储效应,因此开关过程比较快。功率M(BFET的开关时间在10~100之间,是常用电力电子器件中开关频率最高的。 L99MC6TR

   安全工作区(SOA)

   功率MOSFET没有二次击穿问题,具有非常宽的安全工作区,特别是在高电压范围内。但是功率MOSFET的通态电阻比较大,所以在低压部分不仅受最大电流的限制,还要受到自身功耗的限制。

   1)正向偏置安全工作区(FBSOA)

   正向偏置安全工作区(FBSOA)如图⒈29(a)所示,它是由4条边界极限所包围的区域。这4条边界是:漏源通态电阻、漏极最大电流、最大功耗和漏源击穿电压。最大功耗的限制和BJT相同,是由器件的热响应特性、最大允许结温和最大热阻抗联合决定的;对应不同的工作时间有不同的耐量,时间越短,耐量越大。

   2)开关安全工作区(s⒏)A)

   开关安全工作区(SsOA)表示器件工作的极限范围。如图⒈29(b)所示,SSOA由最大漏极电流ⅠLlM、漏源击穿电压B△1:和最大结温决定,超出该区域,器件将损坏。功率MOSFET的正、反向偏置安全工作区没有区别,所以开关安全工作区的最大电压电流与FBSOA一样。